三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点，分析了微通道板的离子反馈形成机理，给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板的吸附气体，另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命，还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现，不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破，还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通电源的应用。     

利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能

通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间.     

HART协议物理层设备的测试(上)

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

自动化合成技术解决了功耗过高的问题

我们以硬件和软件的形式来设计用于为明年面市的3G蜂窝电话提供能源的、基于32位RISC微控制器的平台。对这些器件而言,功率是关注的焦点。尽管微控制器件中关键功能块的客户化设计对我们实现最佳的功率、性能和电路板面积设计目标提供了帮助,但     

OTL场输出级电路的功耗计算与显示器场幅自动控制电路设计(之三)——彩色多频同步显示器电路设计分析(Ⅻ)

TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。     

"绿色照明"的布光理念与实践

文章介绍了电视冷光灯的优越性，以及给新闻演播室的新建和改造融进的全新理念与布光模式。电视冷光灯不但自成体系，而且可以配合其他色温相近的灯具，在电视照明艺术创作理论和方法上，形成了新的电视照明艺术创作格局和表现手法，开辟了电视照明创作的新领域，适应了现代电子数字摄录设备的发展。     

大画幅同步高速摄影机点阵系统

文章针对实际工作中点阵系统出现的误导通现象 ,提出一种点阵设计方案 ,对该方案进行理论分析 ,并设计电路。通过实验 ,验证了方案的有效性。     

几类数列通项的矩阵求法

本利用矩阵给出了几类数列的通项公式的求法，把数列通项公式的求法转化为矩阵幂的计算，思路简单、计算简便，并能判别其敛散性。     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

基于客户洞察的套餐生命周期管理

随着国内电信市场竞争的愈演愈烈，电信运营商的运营模式也在发生着改变，逐步由以“技术”、“产品”驱动，转向以“市场”、“客户”驱动，尤其是套餐管理。面对客户多样性、个性化的需求，大众性营销已明显不符合客户的需求，因此基于客户价值行为特征和客户需求的套餐管理理念应逐步成为今后电信营销的核心思想。