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171.
采用分子量500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质P(EO)n-CuBr2薄膜,并在0.1~300MPa范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱,分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系.进一步解谱准确地求出P(EO)n-CuBr2(n=12、16)薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应,并结合X-光物相分析,根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论.添加20%的增塑剂碳酸丙烯酯,较大改进了压力下的导电性.120~300MPa的离子电导率提高一个数量级 相似文献
172.
CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英) 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径,分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径;X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明,CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1,其结构为立方CdSe。另外,对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。 相似文献
173.
在许多重要的金属蛋白中,都存在ⅡB金属与半胱氨酸残基配位的活性中心M(Cys-S)_n.锌、镉、汞与含硫配体的配位化学作为M(Cys-S)_n中心的化学基础,三配位的[M(SR)_3]被认为是金属蛋白中ⅡB金属的一种配位形式.而近年来,Koch报道了平面三配位的锌、镉、汞的硫酚配合物[(n-Pr)_4N][Zn(SC_6HMe_4-2,3,5,6)_3]和[PPh_4][Cd(SC_6H_2Pr_3~i-2,3,6)_3]及[(n-Pr)_4N][Hg(SC_6H_2Pr_3~i-2,4,6)_3]的晶体结构.他们在实验中由于晶体迅速失去溶剂而未能测定以2,4,6-三异丙基硫酚为配体的锌配合物的晶体结构.最近我们合成了这个配合物,并测定了其晶体结构. 相似文献
174.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高. 相似文献
175.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高. 相似文献
176.
177.
Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性 总被引:10,自引:0,他引:10
以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板,用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比;磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火,随着退火温度增加,其纵向矫顽力有一个极值,而对应的横向矫顽力没有类似的变化,关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论. 图5参15 相似文献
178.
179.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高. 相似文献
180.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高. 相似文献