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941.
基于高增益自由电子激光饱和状态的统计物理方法,在不同的电子束相空间初始分布下对原有理论进行了发展和推广,借助于多重数值积分技术解决了粒子束一般动量初始分布带来的计算困难,并以更接近实际的高斯动量分布为例进行计算。作为对比验证编写高斯初始动量分布下的直接数值模拟程序,将高斯初始分布同"水袋"两种初始分布的"暖电子束"入射情形下自由电子激光达到饱和时系统的光强、聚束因子和粒子相空间分布均进行相应计算和比较。结果表明:数值模拟和统计计算结果相一致;在目前选取的参数范围内,两种初始分布的相应结果差异并不显著。 相似文献
942.
943.
5 SiC JFETSiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrichs等人[46]研发了第一代4H-SiC JFET,浪涌电流能力为200 A/cm2,到2004年经历三代SiC JFET技术 相似文献
944.
基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化.仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5%)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5%),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8 GHz时为-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA. 相似文献
945.
在中频数字化信号处理中,FPGA应用越来越广泛,DDC的FPGA模块化非常必要,CIC滤波器由于其结构只用到加法器和延迟器,很适合用FPGA来实现,通常工作在DDC系统中运算量大的第一级。本文分析了CIC滤波器的抽取原理、性能、影响参数及增益产生原因,针对实际应用中5级CIC滤波器在不同抽取率下对信号进行抽取时,所产生的增益问题,给出了校正方法,并在Modelsim仿真中得到了验证。 相似文献
946.
947.
948.
基于圆柱共形阵列天线的基本理论,提出了一种螺旋圆柱阵列天线,该阵列由两层沿圆柱外壁交错排列的螺旋单元组成,采用矩量法分析了天线的辐射特性。通过优化螺旋单元的个数及分布,得到最优的单层单元数N=18,层间距H=60 mm,使阵列天线在实现高增益的同时,在θ=90°平面上产生360度全向辐射,最大增益Gmax可达7.5 dBi,不圆度C<1.6 dB。 相似文献
949.
通过对微带贴片天线单元的仿真与优化,得出了法向轴比小于3 dB的右旋圆极化微带贴片天线单元;用所得的天线单元组阵得到9元相控阵天线,仿真得到其S11参数小于-16 dB、增益大于13 dB和轴比小于3 dB.针对微带贴片相控阵天线的轴比特性,提出了降低轴比的几种布阵方法,得到0.2 dB的轴比,最后分析并总结了改善微带贴片相控阵天线轴比的一般方法. 相似文献
950.
矢量传感器由声压传感器和振速传感器同心复合而成,由它构成的垂直矢量阵的空间增益相比于传统的声压阵能提高4.8 dB。利用典型浅海环境中的仿真数据比较了垂直矢量阵的实际空间增益和理想空间增益,并分析了声源位置、阵元个数、矢量阵深度和信号频率对垂直矢量阵组合空间增益的影响,仿真分析结论对垂直矢量阵的应用具有参考价值。 相似文献