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基于等效井径模型,综合考虑各裂缝不同参数、裂缝变质量入流和井筒变质量流动等因素的影响,建立并求解了基岩和压裂缝同时向井筒供气的井筒与气藏耦合的压裂水平井产能预测模型.研究分析了压裂水平井产能敏感因素.结果表明:压裂水平井的产能随裂缝条数、裂缝半长、裂缝间距的增加而增加;为获得较高的产能,压裂时应尽可能保持裂缝与井筒垂直;压裂缝条数一定时,裂缝越长、间距越大,压裂缝产能贡献越大,而裂缝越短、间距越小时,基岩向井筒供气的贡献越大,压裂缝贡献相对较小.研究成果为气藏压裂水平井设计提供了科学依据. 相似文献
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来自市场研究机构FutureHorizons的知名分析师MalcolmPenn表示,半导体制造商们的心态已经因为某些因素而改变,他们不再兴建新晶圆厂来因应预期中的需求;他在一场预测2011年市场前景的专题演说中指出:忘了轻晶圆厂(fab-lite)这个名词吧,欢迎来到晶圆厂产能吃紧(fab-tight)的时代! 相似文献
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TSMC在中国台湾台中科学园区举行第三座十二时超大型晶圆厂(GIGAFABTM)——晶圆十五厂动土典礼,为ISMC扩大投资台湾的承诺写下另一个重要的里程碑。动土典礼由TSMC张忠谋董事长兼总执行长主持。张忠谋董事长表示,科学园区在台湾高科技产业的发展过程中,扮演关键的角色,也是TSMC之所以能够立足台湾、放眼全球、在全球半导体业发光的重要支持。过去二十几年 相似文献
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走出亏损泥淖的中芯国际以更换企业标志来昭示新生,但在未来五年,这家公司的担子仍不轻,它要在持续盈利和提高技术、产能竞争力之间寻找平衡中芯国际终于结束了一段连续亏损的不愉快历史,继而又为自己定下一个富于挑战的新目标。3月15日,中芯国际总裁兼CEO王宁国首次率领管理团队面对媒体,信 相似文献
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利用ICP-OES和ICP-MS,分析了麦哲伦海山群西北端MK海山2170 m水深的MKD23B-3号富钴结壳样品,获得了其剖面上Ce,Co和P2O5含量数据.结果显示,该样品未磷酸盐化壳层的过剩Ce(Cexs)与Co含量之间呈明显的正相关关系,相关系数R2高达0.7893;与生长速率呈负相关关系,相关系数R2高达0.7211,表明壳层生长速率是制约结壳Ce含量的主因,高的Ce含量是低的生长速率造成的.在假设海水pH,Mn2+等条件不变的前提下,结壳生长速率正相关于Fe,Mn的沉积通量,而Fe,Mn的沉积通量正相关于海水中溶解氧含量.因此,在海水pH,Mn2+等条件不变的前提下,Cexs负相关于海水中溶解氧含量,海水溶解氧含量只是制约结壳Ce含量的间接因素,纠正了"结壳高Ce异常指示其形成时海水中高溶解氧含量"的认识. 相似文献
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