基于PFC算法的纵向塞曼热稳频系统预热控制方法

针对传统纵向塞曼热稳频系统的恒值加热方法存在预热时间长、在不同环境预热效果存在差异的问题,提出了一种基于预测函数控制(PFC)算法的预热控制方法.该方法采用一阶加纯滞后模型作为PFC算法的预测模型,参考Smith预估思想对系统输出对象进行修正,可以有效克服被控系统热交换的时滞特性对预热效果的影响,缩短预热时间;控制参考温度与不同环境温度相差为固定值,并设定阈值跳模时间作为预热-稳频转换的判据,可以有效克服环境温度对同一时刻预热效果的影响.实验表明,在15～26 ℃环境温度下,激光器开机小于17 min即可完成预热-稳频转换,预热时间差异小于2 min,不同环境下热平衡温度与环境温度差值的差异小于1.5 ℃.     

车用SiC半桥模块并联均流设计与试制

SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采用混合优化的均流方法设计并制作了一个多芯片并联的SiC半桥模块,其中,功率端子采用双端结构以减小寄生电感;栅极采用开尔文连接结构以提高芯片开关速度;对芯片位置进行优化使各并联回路的寄生电感尽可能均匀分布。在ANSYS Q3D中提取的主回路寄生电感为6.5 nH;在Simplorer中进行仿真,电流不均衡度小于3%。实物测试结果表明,主回路寄生电感为10 nH,电流不均衡度小于5%,验证了该车用SiC半桥模块并联均流设计的可行性。     

多芯片并联IGBT内部动态电流主动均匀分布机理

多芯片并联的IGBT器件由于芯片本身参数和封装寄生参数的差异,各芯片电流分布并不完全一致。采用理论推导和仿真分析的方法论证了电流主动均匀分布机制。首先建立了包括内部寄生参数的多芯片并联IGBT器件模型,利用准静态方法推导出开关过程中芯片集电极电流与器件驱动电压的关系;其次指出并联IGBT内部存在发射极寄生电感自均流及输入电容自均压两种负反馈机制,利用瞬时极性法分析了两种负反馈机制的作用原理;最后借助仿真软件搭建电感负载的开关电路,验证了在并联芯片支路参数差异条件下,两种负反馈机制对集电极电流不均匀分布的抑制作用。研究结果可为器件封装设计及可靠性分析提供参考。     

电源并联均流技术

稳定电源输出扩流应用较多,文中详细介绍了６种常用的电源均汉技术,其中改变单元电源输出内阻法,最大电 自动均流法,强迫均汉法等已有集成控制芯片。随微处理技术发展,整个电源系统可采用智能总线结构,实现均流冗余控制,故障检测、故障信息显示等功能。这样会使均汉效果更理想。     

分组码的Rayleigh分布的伪随机交错方案

提出一种 交错方案,即Ｒａｙｌｅｉｇｈ分布的伪随机交错。对ＢＣＨ（６３,３９,４）、ＢＧＣＨ（１２７,７８,７）码结合此种交错方案在Ｒａｙｌｅｉｇｈ衰落信道中的纠错性能进行了计算机仿真,且与周期交错方案的结果作了比较。仿真结果表明：在对主码率要求不高时,采用伪随机交错方案可减小平均时延;同时伪随机交错方案也具有加密功能。     

声表面波滤波器组的电路组合分析

从基本电路原理出发，分析并比较了三种声表面波滤波器组的电路组合设计方案，简述了其各自特点，给出了一些我们的实验数据。     

Ka波段360度低损耗模拟移相器

在本文中,我们提出了一种新的反射型宽带360度MMIC模拟移相器。该移相器是基于矢量合成理论设计的,由三个Lange耦合器组成,制作工艺为标准的0.25微米GaAs工艺。我们采用4个4×40微米的GaAs HEMT作为反射负载。为了抵消器件的寄生电容,我们将一条起电感作用的微带线与器件并联,使得反射负载表现为纯阻性,并同时减小了移相器的插入损耗。为了减小芯片面积,我们采用折叠式的Lange耦合器。得到的MMIC移相器芯片面积仅为2.0×1.2 mm2。测试结果显示,在27GHz到32GHz的频率范围内,移相器的插入损耗为5.0 dB ± 0.8 dB,实现了360度连续移相,并且直流功率损耗为0。     

100 Gbit/s级联交错相位调制码型信号的传输性能

介绍了一种应用于100 Gbit/s传输系统的新型光信号调制码型--交错差分相位调制码(SDPSK).该码型的解调仅通过一个1 bit延时的马赫曾德尔延时干涉仪和一个平衡接收机即可实现.与传统的4种级联相位调制码型进行长距离传输特性比较后证明:基于NRZ码和50%占空比RZ码的SDPSK码与相同包络的DPSK码具有几乎相同的色散容限和一阶偏振模色散容限;与有相同包络的DPSK信号和差分四相相移键控码(DQPSK)信号相比,基于NRZ码和RZ码的SDPSK信号具有更高的抵抗非线性负面效应的能力:经过90 km普通单模光纤传输并采用16 km色散补偿光纤进行后置色散补偿后,通过带宽值大于125 GHz的三阶高斯滤波器检测光信号,RZ-SDPSK信号的接收性能最佳.     

CMOS光接收机宽带前置放大器的设计

采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了光接收机宽带前置放大器。该前置放大器采用具有反馈特性的跨阻放大器实现,采用了RGC(RegulatedCasacoe)电路作为输入级,同时在电路中引入电感并联补偿的技术,以拓展前置放大器的带宽。仿真结果表明:1.8V单电压源供电情况下,电路功耗15.2mW,中频互阻增益为58.4dBΩ,-3dB带宽可达到10.2GHz,可工作在10Gb/s速率。     

交错临界导电模式PFC原理与设计

文中介绍了交错CRM—PFC的基本原理和基于R2A20112控制器的交错CRM—PFC变换器的设计。临界导电模式（CRM）是一种功率因数校正（PFC）控制方法。交错CRM—PFC允许升压变换器获得180°的相位移和在CRM操作,可使输入和输出电容器上的纹波电流大大地减小。