光栅选线TEA CO2激光快速调谐技术研究

已研制了一种新型的采用直驱交流伺服电机的光栅选线TEA CO2激光器快速调谐系统,介绍了该系统的构建和设计,包括激光器快速调谐系统的硬件构成、软件设计及系统的运行流程,并进行了初步的实验研究。     

交流牵引市域(郊)铁路车载信号设备电磁干扰防护研究

交流牵引的电磁环境极其复杂、运行条件非常严酷,由电磁干扰导致的车载信号故障频出,引发行车安全隐患。文章针对交流牵引列车的车载信号设备面临的电磁干扰问题进行了深入研究,建立了车载信号设备信号定位原理和电磁干扰源模型。通过分析电磁干扰导致车载信号失败的结果,并以某线交流牵引列车实际运行情况为例,从车载信号定位原理角度探讨了电磁干扰防护特性。最终,提出了一套切实可行的解决方案,旨在解决危害信号系统安全稳定运行的技术难题。     

MgB2超导圆线基底交流损耗的计算分析

二硼化镁(MgB2)超导体在非铜氧化物陶瓷超导体中具有最高临界转变温度,给超导应用带来了新的契机.铁与镁不反应,且价格低廉,在需要热处理的超导成材工艺中,常常采用铁作MgB2的基底;然而,这种高磁导率的材料有可能增大基底的损耗.本文采用有限元分析软件ANSYS计算了工频下不同材料基底超导圆线传输交流的基底损耗,分析了基底损耗与电流大小、基底厚度之间的关系,对双层基底的损耗也进行了研究.本文的结果对于适当选取截面尺寸、基底材料和工作电流以期减小交流损耗,具有一定参考意义.     

高温超导带材交流损耗的数值计算与分析

高温超导带材在许多领域得到越来越广泛的应用。交流损耗计算对于高温超导带材具有重要意义。该文介绍了两种交流损耗的数值计算模型,并以其中一种模型为例,对带材的交流损耗进行计算,与Norris公式计算结果作了比较,证明结果有效。最后提出了交流损耗数值计算中存在的问题。     

N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对 Si/HF界面的影响

该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响.分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化学反应过程中的电荷转移电阻和Si/HF界面处Si基体一侧的空间电荷层电容.结果...     

用于白色LED的电源

随着大型彩色或黑白LCD显示屏的发展,LED技术也不断进步,可用更低的功率产生更强的光,多用作便携式或交流线路供电系统照明源。现在,白色LED能够提供与普通白炽灯泡几乎一样或更多的光源。     

干涉型集成光学加速度计信号处理及SOPC设计

介绍了集成光学芯片、光纤质量块简谐振子和可编程片上系统(SOPC)混合集成光学加速度计的设计方法。采用迈克尔逊干涉方法实现加速度信号光相位调制,综合交流相位跟踪零差补偿技术(PTAC)和合成外差信号解调技术(SHSD)补偿误差并解调出加速度信号,应用SOPC技术设计和实现数字信号处理(DSP)系统,同时实现DSP和智能化数据传输接口并行工作,使系统实时、线性地跟踪到加速度信号。系统设计灵敏度达4.8902V/g。实际测量灵敏度达4.62V/g,工作频带10~1066Hz。     

锆系Laves相储氢合金电极的性能研究

Ｚｒ（Ｖ０．２Ｍｎ０．２Ｍｏ０．０６Ｎｉ０．５４）２．４合金经ＨＦ溶液处理后，合金表面由富Ｚｒ和富Ｍｎ层转变成富Ｎｉ层，从而使电极初期活化周期明显缩短，电极表面氢吸附性能改善。表面反应电阻减小。本文探讨了上述电极表面反应机理，即表面Ｎｉ的催化、氢吸附和氢转移机理，对阻抗谱进行拟合，给出了相应的电极反应等效电路。     

Li/富锂钒青铜(Li_6V_6O_(15))二次电池正极材料研究

近年来,人们对二次锂电池的正极进行了不少研究。许多过渡金属氧化物或硫化物,如V_6O(13),Li_(1+x)V_3O_8,TiS_2,MoS_2等被认为是较好的正极材料。Pistoia等研究了Li_(1+x)V_3O_8钒青铜的电化学性能得出,当Li浓度高时,由于电子定域作用使电荷屏蔽效应     

Ce0.8Nd0.2O1.9-La0.95Sr0.05Ga0.9Mg0.1O3-δ固体复合电解质的结构和电性能

采用溶胶-凝胶法分别制备La_0.95Sr_0.05Ga_0.9Mg_0.1O_3-δ (LSGM)和Ce_0.8Nd_0.2O_1.9 (NDC)电解质,并在NDC溶胶中加入0-15% (w,质量分数)的LSGM预烧粉体制得NDC-LSGM复合电解质,研究不同质量比复合电解质的结构和电性能. 采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和X能量色散谱仪(EDS)对样品进行结构表征,交流(AC)阻抗谱测试样品导电性能. 结果表明：NDC-LSGM复合体系主要由立方萤石结构相、钙钛矿结构相和杂质相组成;LSGM的添加可促进晶粒的生长,产生大量相界面,清除或降低SiO₂有害影响,明显提高晶界导电性;LSGM质量分数为10%的样品NL10 具有最高晶界电导率和总电导率,400 ℃时NL10 的晶界电导率σ_gb和总电导率σ_t分别为12.15×10^-4和3.49×10^-4 S·cm^-1,与NDC的σ_gb (1.41×10^-4 S·cm^-1)和σ_t (1.20×10^-4 S·cm^-1)相比分别提高了7.62和1.91倍,总电导率的提高主要归因于晶界电导率的影响.