一种低噪声C类LC压控振荡器的设计

为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14～5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。     

用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器设计北大核心CSCD

针对非制冷红外探测器片上存储器的高速数据读出,设计了一种用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器。随着非制冷红外探测器像素阵列的不断加大,对非制冷红外探测器片上存储器的要求也更高,需要一个更高速的存储器进行红外探测器内部数据存储。通过降低灵敏放大器延迟时间是提高数据传输速度的一种可靠方法。本文对传统交叉耦合结构灵敏放大器进行改进,与传统交叉耦合结构灵敏放大器相比,增加了完全互补型的第二级交叉放大电路,并采用NMOS组成的中间阶段进行两级运放的耦合。改进后的新型灵敏放大器能快速有效地放大位线上电压差,同时改善灵敏度低的问题。本论文设计的灵敏放大器采用TSMC 65 nm工艺,在工作电压为5 V、位线电压差为100 mV条件下,仿真结果表明:数据读出延迟仅为25.19 ps,与交叉耦合式灵敏放大器相比,读出延迟降低了37.07%。同时,在全工艺角仿真条件下,环境温度为-45—125℃,新型灵敏放大器延迟仿真最大值仅为39 ps,最小值为17.1 ps。     

CuI/Proline-catalyzed N-Arylation of Nitrogen Heterocycles

Qing Xiang GUON-Arylated heterocycles such as pyrroles, indoles, and imidazoles are important building blocks for the synthesis of natural products, pharmaceuticals, and function materials1. Usually these compounds were synthesized by Cu-catalyzed Ullmann…     

CMOS衬底调制阈值调整型RF-DC整流器

基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间。对整流器工作原理进行了分析,对电路进行了仿真。结果表明,改进后的CMOS交叉耦合桥式整流器在输入功率为－16 dBm@900 MHz时,输出电压为1.48 V,输出电压和稳定时间分别比传统电路提高了13 mV和22 μs。     

基于折叠双模谐振器结构的微带带通滤波器

设计了一种采用折叠双模谐振器结构的新型双模微带带通滤波器。通过在折叠双模谐振器两侧加载交叉耦合结构,使通带两端产生一对传输零点。实验结果表明,该滤波器具有结构紧凑,体积小,损耗低,带外抑制性能好等优点,且其中心频率为3.65 GHz,通带为2.5～4.8 GHz,最大回波损耗优于-33.5 dB,最小插入损耗为-0.18 dB,实测结果和仿真结果相吻合。     

一种高隔离度的腔体双频合路器的设计

设计了一款高隔离的同轴腔体双频合路器。采用了较多的交叉耦合来增加合路器的传输零点,从而提高了隔离度。两路滤波器之间采用的是公共腔结构,大幅降低了抽头线对通带的影响。为了验证该设计的可行性,采用这种结构设计制作了一款针对DSC台式机的合路器。合路器的仿真和实测基本达到指标要求。     

一种改变交叉耦合极性的新方法

提出了一种用传输线在微带交叉滤波器和腔体交叉滤波器中实现交叉耦合极性改变的新方法。在微带交叉耦合滤波器中运用180°电长度的传输线实现源与非相邻谐振器的耦合,可使交叉耦合极性由容性变为感性。在腔体交叉耦合滤波器中,使用180°左右电长度的传输线,可使传输零点从阻带高端移动到阻带低端。讨论了不同电长度的传输线对交叉耦合的影响,通过调节传输线的电长度,控制传输零点的位置,提高滤波器的带外抑制。这种改变耦合极性的方法,可以用同一耦合方式获得任意位置的传输零点,给滤波器设计提供了更大的自由度。     

Ku波段交叉耦合波导滤波器的精确设计

针对软件优化法设计交叉耦合波导滤波器的耗时性,利用矩形波导设计了Ku波段折叠型交叉耦合滤波器。采用S参数的多项式综合和矩阵消零的方法提取耦合矩阵,设计过程将全波建模和电路模型分析相结合,利用微波CAD软件HFSS分步骤对每个谐振单元及耦合结构进行仿真,以确定其尺寸,避免了对滤波器的软件优化,所得仿真结果与理论值吻合较好。     

Ku 波段微带交叉耦合带通滤波器的结构与设计

基于广义切比雪夫滤波器综合理论,本文设计了一个Ku 波段微带发夹谐振型交叉耦合滤波器。该滤波器的拓扑结构为CQ 型。由于引入非相邻谐振器之间的耦合,在有限频率点处产生传输零点,这样不仅使滤波器具有更好的选择性,而且其结构更加紧凑,尺寸也大大缩小。本文通过HFSS 电磁仿真软件对其进行了优化设计。其仿真结果很好地体现了该滤波器的特性。与同阶数的传统滤波器相比,交叉耦合型滤波器具有更好的带外抑制特性,有较好的工程应用意义。     

供3G无线应用的超高选择性HTS带通滤波器

本文介绍了一种能满足现有3G(第三代)无线频带应用的超高选择性HTS滤波器。该滤波器由22个谐振器和5个能在频带边缘产生10个传输零点的交叉耦合结构组成。为了实现传输零点，设计中我们引入了四重线交叉耦合技术。为了在有限的薄膜尺寸内容纳22个谐振器，我们研制了一种新型紧凑的谐振器拓朴结构。该滤波器使用两英寸MgO衬底的YBCO薄膜制备而成。已测得频带边缘陡度超过30dB／100KHz。该滤波器离带边350KHz有90dB的带外抑制。该滤波器的抑制水平超过了理想的50-极契比雪夫滤波器的抑制。