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161.
刘庆  吕大龙  卞晨阁  周东方 《强激光与粒子束》2019,31(12):123001-1-123001-7
针对高性能交叉耦合基片集成波导带通滤波器的应用,提出一种新型负耦合结构,该耦合结构由两个短路耦合线设计实现,并详细分析了其特性,能够实现较弱或较强的负耦合。总结了基于特征多项式的耦合矩阵综合优化方法,并通过两个滤波器的设计进行说明。基于综合得到的两个耦合矩阵,设计了两个中心频率为10 GHz的四阶交叉耦合基片集成波导带通滤波器,第一个滤波器的归一化相对带宽为3%,负耦合结构提供交叉耦合,用于说明该耦合结构提供相对较弱的耦合强度;第二个滤波器的相对带宽为8%,负耦合结构提供主耦合,用于说明该耦合结构提供较强的负耦合强度。为了验证滤波器的实际性能,对这两款滤波器进行了加工和测试。测试和仿真结果一致性较好,表明了该负耦合结构用于高性能交叉耦合基片集成波导滤波器设计的可行性。最后讨论了弱色散交叉耦合对传输零点位置的影响。  相似文献   
162.
四分之一波长SIR(Stepped Impedance Resonators)作为同轴腔滤波器的基本谐振单元,利用梯度法优化提取了交叉耦合滤波器的耦合矩阵,采用梳状线形式,设计了一种梳状sIR交叉耦合同轴腔滤波器.从滤波器的实测曲线可以看出,这种形式的滤波器很好的实现了宽阻带、小体积和高选择性的设计思想.  相似文献   
163.
介绍了一种高温超导双工器的设计方法.双工器包含一个公共节点和两个带通滤波器.作者使用开环半波长谐振器作为公共节点用于合并两信道滤波器,同时作为消纳网络消除滤波器之间的影响.各信道滤波器均包含了六个带折叠耦合线的发卡型谐振器,利用跨线引入交叉耦合.该高温超导双工器工作在c波段,仿真结果与理论计算结果相一致,说明了该设计方...  相似文献   
164.
提出了一种新型的具有多次谐波抑制功能的低温共烧陶瓷(LTCC)微型带通滤波器,该滤波器电路由电感耦合的四阶谐振腔组成。在一般抽头式梳状线滤波器设计的基础上,引入了交叉耦合,通过改进其结构,形成了多个传输零点,并结合电路仿真以及三维电磁场仿真,辅之以DOE(Design of Experiment)的设计方法,设计出了一种尺寸小、频率选择性好、阻带宽的滤波器。实际测试结果与仿真结果吻合较好,中心频率为13.4 GHz,其3 dB带宽为200MHz,在15.5~35 GHz频率上的衰减均优于20 dB,体积仅为3.2mm×1.6mm×1.2mm。所提方法对滤波器谐波抑制的设计具有指导作用。  相似文献   
165.
对于普通CMOS工艺中容易产生的衬底偏置效应,基于dickson电荷泵原理,本文采用了一种栅交叉耦合的方式来选择相应PMOS管的衬底电压,从而消除了衬底偏置效应的影响。再结合相应的电路,诸如时钟控制电路和整流电路等,为EEPROM提供稳定擦写电流。该设计能有效消除衬底偏置效应影响,更好的提高电荷泵工作效率。  相似文献   
166.
涂治红  褚庆昕 《电子学报》2008,36(2):250-254
传输零点的确定是交叉耦合滤波器综合的最基本要素.本文利用广义Chebyshev函数的极值特性以及滤波器阶数与传输零点最大值的关系,提出了一种根据滤波器特性指标同时确定广义Chebyshev滤波器的阶数和传输零点位置的方法,弥补了传统方法中传输零点确定的人为随意性,在满足技术指标条件下,实现了广义Chebyshev滤波器阶数最少,传输零点位置最佳.几个数值实验显示了该方法的过程和有效性.  相似文献   
167.
卫星测控是保证通信卫星正常运转的重要手段.为完成通信卫星的测控任务,卫星地面站测控设备除了要求自跟踪系统交叉耦合系数满足技术指标外,还对其自跟踪状态的稳定性提出了要求.通过对自跟踪状态稳定性进行分析,发现和差信道的相位差变化会引起自跟踪交叉耦合系数的变化,进而改变了自跟踪状态的稳定性.考虑到进一步解析导致和差信道相位变...  相似文献   
168.
设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构,在不明显增加电路复杂度的情况下,显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明,设计的HVIC可以实现高达125 V/ns的dV/dt噪声免疫能力,并在15 V电源电压下允许VS负电压过冲达到-9.6 V。此外,从理论上分析了改进电平移位电路的本级传输延时。同传统HVIC相比,设计的HVIC整体的传输延时得到了优化,降低到54 ns左右。  相似文献   
169.
Flash存算阵列在工作模式下需要用到不同内部驱动电压,因此基于当前各类Dickson型电荷泵,设计了一种针对Flash存算阵列的可调电荷泵。采用一种新型输出级的交叉耦合设计,解决了传统电荷泵最后一级阈值电压导致的低泵送效率的问题,并通过辅助MOS管增强了传统电荷泵中体源二极管对反向漏电流的抑制能力。55 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,与改进前的电荷泵相比,在电源电压1.8 V和300μA的工作电流下,中间级反向漏电流减少了17.5%,输出级反向漏电流减少了73.1%。无反馈调节时,主电荷泵最高输出电压为9.56 V,电压效率达88.51%。PFM可调制模式下,可重构电荷泵能实现输出电压切换。  相似文献   
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