互通多孔碳/二氧化锰纳米复合材料的原位水热合成及电化学性能

以互通多孔碳（IPC）为载体,水热条件下在碳表面原位反应生成纳米结构的二氧化锰（MnO₂）,制备互通多孔碳/二氧化锰纳米（IPC/MnO₂）复合电极材料. 采用扫描电镜（SEM）,透射电镜（TEM）,X射线衍射（XRD）,热重分析（TGA）对其结构进行表征;采用循环伏安法、恒流充放电和交流阻抗对其电化学性能进行研究. 结果表明：生成的MnO₂均匀地负载在碳的表面,形成多层次结构,并且随着温度的升高IPC表面负载的MnO₂由纳米颗粒变为纳米片状结构;MnO₂纳米片具有典型的K-Birnessite 型晶体结构;复合物中MnO₂的含量约为34%（w）. 在100 ℃制备的IPC/MnO₂复合材料在三电极系统中最高比电容达到了411 F·g^-1;随着反应温度的升高,比容量先增长后基本保持不变. 以IPC/MnO₂为正极,活性炭（AC）为负极,1 mol·L^-1 Na₂SO₄溶液为电解液组装成IPC/MnO₂//AC 混合超级电容器,发现IPC/MnO₂电极的电容器其电位窗口从1 V扩展到1.8 V,容量可达86F·g^-1,且表现出良好的电容特性和大电流放电性能.     

互通多孔碳/二氧化锰纳米复合材料的原位水热合成及电化学性能

以互通多孔碳（IPC）为载体,水热条件下在碳表面原位反应生成纳米结构的二氧化锰（MnO₂）,制备互通多孔碳/二氧化锰纳米（IPC/MnO₂）复合电极材料. 采用扫描电镜（SEM）,透射电镜（TEM）,X射线衍射（XRD）,热重分析（TGA）对其结构进行表征;采用循环伏安法、恒流充放电和交流阻抗对其电化学性能进行研究. 结果表明：生成的MnO₂均匀地负载在碳的表面,形成多层次结构,并且随着温度的升高IPC表面负载的MnO₂由纳米颗粒变为纳米片状结构;MnO₂纳米片具有典型的K-Birnessite 型晶体结构;复合物中MnO₂的含量约为34%（w）. 在100 ℃制备的IPC/MnO₂复合材料在三电极系统中最高比电容达到了411 F·g^-1;随着反应温度的升高,比容量先增长后基本保持不变. 以IPC/MnO₂为正极,活性炭（AC）为负极,1 mol·L^-1 Na₂SO₄溶液为电解液组装成IPC/MnO₂//AC 混合超级电容器,发现IPC/MnO₂电极的电容器其电位窗口从1 V扩展到1.8 V,容量可达86F·g^-1,且表现出良好的电容特性和大电流放电性能.     

互通多孔碳/二氧化锰纳米复合材料的原位水热合成及电化学性能

以互通多孔碳（IPC）为载体,水热条件下在碳表面原位反应生成纳米结构的二氧化锰（MnO₂）,制备互通多孔碳/二氧化锰纳米（IPC/MnO₂）复合电极材料. 采用扫描电镜（SEM）,透射电镜（TEM）,X射线衍射（XRD）,热重分析（TGA）对其结构进行表征;采用循环伏安法、恒流充放电和交流阻抗对其电化学性能进行研究. 结果表明：生成的MnO₂均匀地负载在碳的表面,形成多层次结构,并且随着温度的升高IPC表面负载的MnO₂由纳米颗粒变为纳米片状结构;MnO₂纳米片具有典型的K-Birnessite 型晶体结构;复合物中MnO₂的含量约为34%（w）. 在100 ℃制备的IPC/MnO₂复合材料在三电极系统中最高比电容达到了411 F·g^-1;随着反应温度的升高,比容量先增长后基本保持不变. 以IPC/MnO₂为正极,活性炭（AC）为负极,1 mol·L^-1 Na₂SO₄溶液为电解液组装成IPC/MnO₂//AC 混合超级电容器,发现IPC/MnO₂电极的电容器其电位窗口从1 V扩展到1.8 V,容量可达86F·g^-1,且表现出良好的电容特性和大电流放电性能.     

腾达与博通联合推出中国首款5G WiFi零售路由器

吉祥腾达科技有限公司与博通公司宣布,推出中国首款5G WiFi零售路由器,这些新产品包括W1800R、W80E和W900U。腾达与博通合作开发的全新无线互连产品包括:W1800R:1750Mbps双频带并发家用路由器,该路由器具备一个千兆以太网交换器和若干外部天线,采用了BCM4706(网络处理器)、BCM4360(5GHz3×3802.11acWi-Fi芯片)、BCM4331(2.4GHz3×3802.11nWi-Fi芯片)和BCM53125(5端口千兆位交换器);     

RapidlO：用“高速”迎接无线数据爆发的挑战

RapidlO作为一种高性能、低引脚数、基于数据包交换的互连体系结构,是为满足现在和未来高性能嵌入式系统需求而设计的一种开放式互连技术标准。2000年,RapidlO行业协会成立,其宗旨是为嵌入式系统开发可靠的、高性能、基于包交换的互连技术,2001年正式发表其基本的规范。2003年10月,     

键合互连对微波多芯片组件相位特性的影响

对键合互连对微波多芯片组件的相位特性影响进行了理论分析,并通过仿真软件HFSS对金丝键合互连模型进行了仿真。给出了在8~18 GHz的频率范围内,由于金丝拱高和跨距装配误差带来的相位误差。仿真分析表明,当金丝跨距在0.4~0.8 mm范围内波动时,最大相位差值在11 GHz以上时会超过20°,而当拱高在0.1~0.4 mm范围内波动时,最大相位差值在10 GHz以上时会超过20°,在13 GHz以上频率会超过30°。     

HDI板分层原因研究及解决方案

通过热应力实验、SEM、EDX、金相切片分析等方法对HDI板生产中易出现分层的各环节进行了探究,结果表明:半固化片储存时吸潮、塞孔后树脂未除净、棕化后清洗用的DI水pH值较低、压合时受力不均是HDI板制造中引起分层的主要原因,并给出了相应的改进措施,提高了产品合格率。     

硅/玻璃基板互连和无源元件的动向

概述了硅玻璃互连板和硅系集成无源元件(IPD)的动向。无源元件制造商的PCB嵌入用硅系芯片元件已经问世。硅基板上的微细薄膜线路和薄膜元件实现无硅化。     

多层HDI板叠孔制造工艺研究

随着目前电子产品不断朝小型化、轻便化、多功能化的方向发展,高密度互连HDI印制板势必会广泛应用于各种电子产品。文章主要介绍了一种叠孔制作时各个细节控制方法及薄板采用垂直电镀工艺进行填孔电镀的可行性。     

考虑工艺波动的RC互连树统计功耗

为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本文方法得到的RC互连功耗均值误差小于4.36 %,标准差误差则小于6.68 %.结果显示,本文方法在确保精度的前提下大大缩短了仿真时间. 关键词： 工艺波动 RC互连')" href="#">RC互连 统计功耗