利用AToM-MPLS任意传输技术提供二层传输服务

MPLS(Multi-Protocol Label Switching)多协议标记交换技术，属于第三代网络架构，是新一代的IP高速骨干网络交换标准。由于MPLS在VPN接入服务、流量工程及CoS／QoS等方面具有非常良好的性能，因此众多的广电系统运营商在进入电信服务领域时都采用了IP／MPLS技术构建自己的骨干网。     

Optical and Electronic Properties of InGaN／GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation.     

海航信息化

身为海航集团办公室主任的胡先生,经常穿梭于国内各城市间对他而言已是习以为常之事,然而,对于不受时空限制在网上查阅集团相关文件,于他,似乎也同样是习以为常。也许,胡先生今天体会到 E 时代所带给他的工作便捷对于 IT 行业来说,似情理之中的事,但对于一个成立才十年的传统行业,谈     

当今世界PCB生产中技术新进展

当今世界PCB生产正处于围绕着SMB(表面安装印制板)为中心进行技术变革和颠峰发展时期。SMB给PCB行业带来了新要求、新档次和新发展,它要有新材料、新设备和新的工艺技术相适应。目前PCB围绕SMB为中心进行技术变革的目标是:高精度高密度化技术;多层薄板化技术;高密度互连(HDI)技术;高平整度化板面技术;板面保护性涂覆技术;自动化高量产化生产;并随之推动与SMB相关的设备,材料和化学药品等的革新与发展。目前全世界PCB生产形势一片大好,今年全世界PCB产量和产值将创历史纪录。产值将达到220亿美元,今后仍以年均7—8％速率持续增长着。今后亚洲PCB产值增长将引人注目,除日本外的亚洲PCB产值将会以大于13％的速度持续增长至2000年以后。     

HART协议物理层(上)

本文描述了HART协议物理层的设备类型，配置准则，以及一些特性。     

平行下垂直磁化下多层磁膜巨磁电阻与外磁场关系的唯象理论计算

用Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的唯象理论方法，计算了相邻铁层间具有反铁磁耦合的的层数较多的Ｆｅ／Ｃｒ多层膜，在外磁场平行和垂直于膜面情况下的磁电阻与外磁场的关系，并与实验结果作了比较，符合得较好。在计算中利用对称性条件，对Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的理论进行了简化，求出了电子分布函数和磁电阻的显式解。     

西门子IP over SDH技术

由于Internet的迅猛发展而引发了IP业务的快速增长，电信运营商们正面临着新的机遇和挑战。西门子对IP与SDH技术的融合有着独到的见解，并提供了多种在SDH上传输IP业务的解决方案。     

多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.