屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理

提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.     

关注计算机的核心——计算机芯片的发展

微处理器芯片是计算机的核心，问世至今三十年以来，式样不断翻新，产品性能突飞猛进，有力地带动了信息产业发展。本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的发展历程，从芯片所用材料的变更、封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨和展望和微处理器未来的发展趋势。     

多产品单层能力受限批量问题的前向启发式算法的可行性过程

本文讨论多产品、单层、能力受限批量问题的前向启发式算法，指出了这类算法中现有算法的一些不足之处。为了克服这些不足，我们给出了可行解存在的充分必要条件，并在此基础上提出一个可行化算法。     

开关控制最优层间位移限值确定原则

本文从单自由度体系出发提出了一种基于开关控制律的层间相对位移界限最优选取原则。经计算机仿真证实了所选择的二次型最优指标J的合理性，也证实了其存在最优解。然后将此原则推广到多自由度体系，并进行了仿真计算。为了检验此原则实际效果，本文对试验所获得的数据进行了分析，结果表明了此原则的合理性和科学性。