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81.
《中国新通信》2007,9(10):92-92
近日,由于股票市场的持续火爆,使得越来越多的新股民进入股市。据有关部门统计,目前每13个中国人就有1个炒股、每天A股开户数新增30万户,我国已进入“全民皆股”时代。  相似文献   
82.
社会经济现象中的平均指标是用来反映各单位某一数量在一定时间、地点条件下所达到的一般水平的指标 .在国民经济统计中平均指标有着十分广泛而重要的作用 ,它不仅反映着总体内各单位变量分布的集中趋势 ,能够比较不同单位的发展水平以说明经济效益或工作质量上的差距 ;而且可以分析和研究现象间的依存关系 .诸如 ,人均纯收入、人均产值、人均储蓄额、商品平均价格、粮食的平均亩产等指标 ,都是与我们的生活息息相关并为我们所熟知的平均指标 .我国目前有关国民经济平均指标的计算一般采用的算术平均的方法 .以人均纯收入指标为例 ,假定某地…  相似文献   
83.
 介绍了一台10mm口径两级双程离轴放大系统,实现了对5mm×5mm口径光束的激光放大,耦合系统采用高功率LDA紧密侧面直接抽运棒状Nd:YLF方式。分析并实验研究了在不同抽运电流、放大脉冲与放大器LDA抽运时刻的不同延时及不同注入能量条件下,放大系统及光束每次放大时放大特性的规律。实验得到:在放大系统5mm×5mm软光阑处注入1.58mJ能量时,放大系统可输出129.2mJ能量,能量提取效率达到19.5%,满足该系统的设计指标。  相似文献   
84.
研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性,实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现,修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感,且对湿度的响应时间和恢复时间短,重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析,给出了其理论表示式. 关键词: 多壁碳纳米管 化学修饰 湿敏特性 物理吸附  相似文献   
85.
Barriola-Vilenkin黑洞的统计熵   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李固强 《物理学报》2004,53(11):3673-3675
利用量子统计方法 ,直接计算Barriola_Vilenkin黑洞背景下玻色场和费米场的配分函数 ,然后利用砖墙膜模型计算和讨论黑洞背景下玻色场和费米场的熵  相似文献   
86.
Yb:FAP和Yb:C_3S_2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 .  相似文献   
87.
88.
X波段六腔渡越管振荡器的高频特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 从麦克斯韦方程出发,采用时域有限差分法(FDTD)和离散傅里叶变换(DFFT)相结合的方法,通过数值计算得出了六腔开放式谐振腔中前四个谐振频率和场分布,计算出的谐振频率与实验测量结果基本相同。比较了开放腔和封闭腔谐振频率,验证了TEM波吸收边界条件,并在实际编程计算中得以应用。计算结果为六腔渡越管振荡器的机理研究提供了依据。  相似文献   
89.
 均匀物质的热力学性质是热力学理论的基础知识,也是入门知识,因而对这部分知识的学习和掌握就显得尤为重要。但是,在历年的教学中发现,学生对这部分知识的掌握并不好,究其原因,重要的一条是这部分内容概念多、参量多、公式多、状态多,并且各参量之间,各公式之间互相联系、十分类似,因而记忆时特别容易混淆,从而导致理解和应用的障碍。所以,若能找到一种便于记忆的方法,那么,无论是对学生还是对教师都将有很大帮助。基于以上这些认识,本文将从教学内容出发,本着直观简单的原则,介绍一种十分便于记忆的方法---函数图像法。  相似文献   
90.
 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP 3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。  相似文献   
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