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961.
通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。  相似文献   
962.
采用离子自组装(ISA)成膜技术制备了TiO2/SiO2复合薄膜光波导,研究了光波导的波导特性。结果表明,随着TiO2含量的增大,光波导的折射率增加,但同时光波导传输损耗增大。一般TiO2占10wt%,此时,光波导中的光损耗较低。在更高的含量范围内,必须使TiO2分散。  相似文献   
963.
双π型RF EMIF的一种薄膜集成制造方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于双兀型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构,借鉴了集成电路超微细加工技术,提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的双兀型EMIF电路的薄膜集成制造方法.该方法可用于制作满足未来电子系统的高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理EMIF电路的应用需求,改善双兀型EMIF电路的信号处理性能,还可将其与VLSI一起片上集成.  相似文献   
964.
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30eV基本相同.用光致发光谱分析了经过500~700℃热处理获得的ZnO薄膜,结果表明ZnO薄膜在室温下有较强的紫外带边发射,但当热处理温度高于700℃时,可见光波段发射明显增加.  相似文献   
965.
光学薄膜的损耗类型主要涉及吸收和散射,精确测定其数值是制备具有高品质和灵敏度指标激光薄膜的前提.本文以薄膜光学和激光技术为背景,介绍了谐振腔衰荡检测高反射薄膜的原理、特性以及测试方法.以1064 nm和1311 nm的高反射膜层为例,利用Losspro激光测试装置,对于二氧化锆( ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)材料获得百万分(ppm)量级精度的损耗数据后,针对不同薄膜材料和工艺方法进行了对比检测,分析认为速率控制和离子束能量对于相同材料的激光高反射薄膜具有明显的影响,进而为薄膜样品的制备奠定了技术基础.  相似文献   
966.
基于遗传算法的窄带滤光片的优化设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
提出了基于遗传算法的窄带滤光片的优化设计方法 ,建立了遗传算法的理论分析模型。根据开发的程序 ,优化设计出一组 5 0GHz的窄带滤光片 ,通过与针法设计的膜系比较 ,遗传算法得到的膜系具有更低的通带插入损耗、纹波系数和更高的矩形度。  相似文献   
967.
铜铟镓硒(Cu(In_xGa_(1–x))Se_2,CIGS)薄膜是目前备受关注的一种太阳能电池材料,磁控溅射是其重要的制备方法。本文从溅射工艺(衬底温度、溅射功率、工作气压)和组成调控(硒含量、Ga梯度)两个方面简述了关于磁控溅射CIGS薄膜的研究进展(尤其是对其光伏性能的调控),提出了提高CIGS薄膜电池光电转换效率的建议及研究方向。  相似文献   
968.
垂直入射的多膜窄带滤光片两偏振态的透射特性是相同的,而对于斜入射的多膜窄带滤光片,其两种偏振态的透射特性发生分离.本文对于所设计的155层三腔薄膜窄带滤光片,分为(无吸收)垂直入射、(无吸收)有角度(11.5°)入射、(有吸收)有角度(11.5°)入射三种情况的透射率随波长变化关系进行了分析.模拟图形结果显示了透射特性的变化趋势.  相似文献   
969.
平顶绿光晶化制备多晶硅薄膜   总被引:3,自引:1,他引:3  
利用倍频Nd∶YAG激光器使玻璃基底上沉积的非晶硅薄膜成功实现了晶化.YAG激光器的倍频绿光经蝇眼透镜阵列整形后得到一光强均匀分布的平顶光束,并用此光束对非晶硅薄膜进行扫描晶化处理.分别测量了激光晶化前后薄膜的拉曼谱和表面形貌.测量结果表明,非晶硅实现了到多晶硅的相变,且晶化处理后表面起伏度明显增大.根据拉曼谱的数据计算了不同激光能量密度下薄膜的粒度大小和结晶度.结果表明,在一定能量密度(400~850 mJcm2)范围内,结晶膜的晶粒粒度和结晶度随激光能量密度升高而增大.然而能量密度大于1000 mJ/cm2后,检测不到明显的多晶硅特征峰.激光能量密度在850 mJ/cm2左右可得到最佳晶化效果.  相似文献   
970.
本文介绍了交流薄膜电致发光显示器几种灰度产生的原理以及实现方案,并对这些方案进行了分析和对比。探讨了一种实现更高灰度级的新方案。  相似文献   
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