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991.
基于GPU的快速二维沃尔什变换研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
提出了一种基于GPU(Graphics Processing Unit,图形处理器)CUDA(Compute Unified Device Architecture,计算统一设备架构)平台的快速二维沃尔什变换(Walsh Transform)实现方法.该方法利用GPU的并行结构和硬件特点,从算法实现、存储类型、逻辑构架设置等方面提高了沃尔什变换的运算速度.实验结果表明,随着图像分辨率的增加,沃尔什变换在GPU上运行时间远低于CPU,GPU比CPU具有更明显的加速效果.  相似文献   
992.
高校设备管理系统的设计与实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
李林  苏炳均 《现代电子技术》2006,29(10):88-89,91
运用Delphi 6和MS SQL Server 2000,在需求分析、功能模块划分、数据库模式分析的基础,设计了数据库结构并开发了高校的设备管理系统。该系统对设备管理中的需求计划、选型、购置、库存、使用、维修、更新及报废等全过程信息进行记录,同时兼顾资金计划和合同管理,使实物与财务有机结合,并为用户提供详尽准确的统计信息和便捷的管理手段。  相似文献   
993.
付伟 《光机电信息》2000,17(12):1-7
目前,激光侦察告警技术发展迅速,技术日趋成熟。本文首先介绍激光告警中的先进技术,并分析了激光告警设备的作战效果,最后综述了国外激光告警设备的最新发展。  相似文献   
994.
庄剑 《电声技术》2003,(10):64-65,68
1引言2002年初,福建人民广播电台都市生活频道提出了“真正实现一年365天全天不间断播出”的口号,即将每周例行的检修时间也用于播出。笔者在进行全方位考虑之后,自行设计、安装了一套备播应急系统。2系统设计2.1设计思想应急系统由应急播出系统和备份传输通道组成。应急播出系统要求在每周二下午检修期间,播出台还能正常使用;在紧急情况下,播出台能做为备份系统的一部分投入应急使用;同时还须考虑设备的安全可靠,方便调用外来信号,应急直播等情况。由于是用于应急备播和周二播出,所以该部分可比一般直播室系统简单。另一部分为备份传输通道…  相似文献   
995.
如今的各类媒体上,都在传播着"三个"苹果改变世界的故事:夏娃摘下了一个苹果,这是人类永恒的好奇心和逆反心态,开启了新世界的大门,诞生了人类社会;第二个苹果,击中了牛顿,发现了万有引力,在人类探索世界的道路上留下了漂亮的一笔;第三个是乔布斯的  相似文献   
996.
997.
简讯     
<正>IEC最近发布了几个修订的电磁兼容标准CISPR11-Am2(2002-08)Ed.3.0“Limits and methods ofmeasurement of electromagnetic disturbance characteristics of in-dustrial\scientific and medical(ISM)radio-frequency equip-ment”(工业、科学和医疗(ISM)射频设备电磁骚扰特性的限值和测量方法)CISPR 16-3(2002-08)Consolidated Ed.1.1"Specification for radio disturbance and immunity measuring ap-paratus and methods—part3:Reports and recommendations ofCISPR”(无线电骚扰和抗扰度测量仪器规范和方法——第3部分:CISPR的报告和建议”)  相似文献   
998.
简单总结了俄罗斯(前苏联)深空测控通信技术的发展过程,主要介绍了俄罗斯深空网目前的组成和技术现状以及正在研制的尽可能符合CCSDS建议的新的深空测控设备。  相似文献   
999.
舰载光电跟踪技术是利用光电跟踪设备对跟踪、瞄准、捕获可疑目标,综合了多种先进的光学技术、图形处理技术、信号处理技术,在现代海上测量工作以及海上战争中具有重要的应用价值,为舰载光电对抗系统奠定良好的基础.本文从舰载光电跟踪设备组成及其关键技术方面对舰载光电跟踪技术进行了简单介绍,并探讨了舰载光电跟踪设备抗冲击分析法.  相似文献   
1000.
第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。  相似文献   
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