中能原子核多重碎裂中的方位角关联

在发射源静止系碎片各向同性发射的假设条件下，考虑到碎片之间的电磁作用，研究了中能原子核多重碎裂中碎片间的方位角关联，计算结果与５００─９８０ＡＭｅＶ能区的实验数据一致．     

中能高浓度氦离子注入对钨微观结构的影响

采用15 keV, 剂量1×10¹⁷/cm², 温度为600 ℃氦离子注入钨, 分别以块体钨研究氦离子对钨的表面损伤; 以超薄的钨透射电镜样品直接注入氦离子, 研究该条件下钨的微观结构变化, 以了解氦离子与钨的相互作用过程; 采用扫描电子显微镜、聚焦离子束扫描显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜等分析手段研究氦离子注入对钨表面显微结构的影响及氦泡在钨微观结构演化中的作用.     

中国加速器驱动系统的中能传输线-2设计

中能传输线-2（MEBT2）在中国加速器驱动次临界系统（CADS）1.5 GeV加速器的前端具有非常重要的作用。介绍了MEBT2设计思路和束流动力学分析。MEBT2的设计和模拟均使用多粒子跟踪程序TraceWin完成。给出了可以完成束流传输和匹配的消色散MEBT2设计方案。模拟结果显示:在经过此方案所设计的MEBT2后，束流横向和纵向的发射度分别有5%和13%的增长，在此系统可接受的发射度增长范围内。     

中能中子与208Pb反应的理论计算和分析

在中子与原子核Pb及其同位素反应的总截面,去弹性散射截面,弹性散射截面和弹性散射角分布的实验数据基础上,获得了入射中子能量从1—300MeV的一组普适中子与Pb及其同位素反应的光学模型势参数.应用光学模型,扭曲波玻恩近似理论,宽度涨落修正的Hauser-Feshbach理论,预平衡反应的激子模型和核内级联模型,计算和分析了中子与²⁴⁸Pb反应的所有截面、角分布和能谱.理论计算与实验数据进行了分析比较     

江苏中能打破多晶硅技术垄断

2006年3月，江苏中能落户徐州经济开发区。2007年10月，一期1500吨生产线正式投产。2007年8月，二期1500吨生产线也开始建设，并于2008年7月开始投产。2007年12月，江苏中能便开始计划和建设年产10500吨的第三期生产线，预计在2008年12月可以正式投产。     

XRD探测器和滤片在北京同步辐射3B3中能束线上的标定

利用北京同步辐射3B3中能束线, 在国内首次实现了XRD X射线探测器灵敏度在2—6keV能区的标定, 灵敏度的不确定度小于7%. 另外中能束线的应用还极大地提高了滤片厚度的标定精度, 其厚度的不确定度小于3.6%.     

北京同步辐射装置改进项目

2003年11月8日，来自9个单位的16名专家对位于中国科学院高能物理研究所的北京正负电子对撞机改进与未来发展专项-北京同步辐射装置（BSRF）改进项目进行了验收。     

国内首批通过"泰尔认证中心"认证(换证)的通信产品名录(七)

电设计技术第11期2004年11月表11(待续)256030044630225R0M青岛中能光科通讯有限公司YTA53(48芯以下)层绞式通信室外光缆(-40～ 60℃)2004.04.062005.12.02257030044630226R0M青岛中能光科通讯有限公司HSYV-5e4×2×0.5数字通信电缆2004.04.062007.04.02258030044610227R0M北京     

重离子碰撞中同位旋分馏对碰撞系统同位旋的依赖性

利用同位旋相关的量子分子动力学模型，研究了中能重离子碰撞过程中同位旋分馏现象及其对于碰撞系统同位旋的依赖性.计算结果表明:在碰撞系统膨胀的低密度区, 气相(发射核子)与液相(碎片)的中子-质子比出现不均等分配现象,即同位旋分馏. 同位旋分馏的强弱明显地依赖于碰撞系统的中子-质子比,其强度随着系统中子-质子比的增大而增大. 丰中子碰撞系统产生丰中子的气相和缺中子的液相,而缺中子碰撞系统产生缺中子的气相和丰中子的液相.在丰中子的碰撞系统中同位旋分馏强度敏感地依赖于对称势,而对于两体碰撞的同位旋效应并不敏感，但对于缺中子的碰撞系统,同位旋分馏强度对于对称势不敏感， 同时发现动量相关作用对于同位旋分馏过程的作用不明显. 关键词： 中能重离子碰撞 同位旋分馏 同位旋效应 对称势     

30MeV/u 40Ar+112,124Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了30MeV/u^40Ar ^112,124Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系,对于两个反应体系,均观察到3He/^4He和^6Ni/^7Li的产额比随角度的增加而增加,^6He/^4He和^8Li/^7Li随角度的增加而减少,统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果,各种单同位素产额比与靶核的N／Z比有关,表现出同位旋效应,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性。