128×128元IRCCD成像技术

研制成功了１２８×１２８元ＰｔｓｉＩＲＣＣＤ，获得了清晰的室温目标热像。文章叙述了该摄像机驱动逻辑电路的设计、驱动方式的研究和视频信号、数字信号的处理。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

重油隧道窑的红外温度测量

在分析重油隧道窑工况的基础上，分析了窑内烟气、燃烧物发射率、窑墙效应、环境温度对红外测温的影响以及热电偶测温的缺点，采取了相应的措施。利用中国发现专科实现了传感器输出信号的一致性。给出了传感器在重滑隧道窑现场使用２．５年后的复校数据。最后，估算出了用红外温度计替代热电偶测窑温产生的经济效益。     

PVInSb红外探测器的阻抗——频率特性分析

通过理论计算和实际测试，给出了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的低频阻抗－频率特性曲线，结合检测阻抗／动态电阻的方法和阻抗－频率特性曲线的变化规律，分析讨论了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗与动态电阻的异同，从而说明在涉及ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的阻抗／动态电阻时，即使在低频范围也要具体考虑频率因素的影响。     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。     

光电子学研究的回顾与展望

本文简要介绍１９８６年以来，国家自然金对光电子技术的资助情况。从中可以看出，我国光电子基础研究近年来的发展情况，这里我们以三个实例介绍了基金项目的执行情况。本文还就今后我国光电子技术的基础研究提出一些看法和设想。     

光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。     

热设备衬里损伤的红外诊断及特征识别

阐述了热设备衬里损伤的红外诊断及特征识别的基本原理和方法。在此基础上，研制开发的红外诊断软件包，在石油一厂１２０万吨／年催化裂化装置上进行了应用，在可靠性与实用性得到验证的同时，为企业创造了明显的经济效益。     

高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。     

分离孔径式红外扫描成像光学系统研究

军事上高的速高比(V/H)要求推动了研制适用于很高V/H值的分离孔径扫描器,该类型扫描系统可以进行战术侦查、空中监视以及特殊任务的执行,多数军用红外扫描系统现都采用分离孔径式设计.介绍了分离孔径式光学系统设计中的主要技术参数确定、布局形式和结构特点,并就工程实现过程中容易出现鬼像,冷反射及光路舍像等主要问题展开讨论.