集输-上升管路系统严重段塞流实验研究

在模拟集输上升管路系统的实验装置上,研究了多种倾斜管角度下严重段塞流发生规律,给出了流型图。实验发现,倾斜管水平时仍会出现严重段塞流。流动参数分析表明,严重段塞流具有显著的周期性,压力大幅度振荡,气液间歇流出上升管,出口气体速度可能超过入口数十倍,对分离器造成剧烈冲击。研究发现,严重段塞流周期随气液流量增大而减小,并且符合幂律定律。     

基于修正的局部应力应变法估算连接件疲劳寿命

飞机机体结构疲劳裂纹的萌生与扩展几乎都发生在紧固件连接处,预测结构连接件的疲劳寿命具有重要意义.为了准确计算连接件疲劳寿命,提出了一种修正的局部应力应变法,该方法首先采用应力严重系数法和修正Neuber法分析连接件高应力区的应力、应变,然后利用Manson-Coffin方程计算疲劳寿命,此外考虑到在中、高周疲劳里表面加工和尺寸因素的影响是不能忽略的,对应变-寿命曲线的弹性段作了修正以使其同时适用于高、低周疲劳寿命的估算.以搭接件为算例进行疲劳寿命计算,并使用MTS Landmark试验机对搭接件进行疲劳试验.结果表明,采用此方法估算的连接件疲劳寿命与试验结果相比误差小于16％,证明了此方法的有效性.     

浅谈GSM系统的单通问题

单通现象是移动通信中较常见的故障之一,它严重影响了整个网络的运行质量,在移动通信日益发展的今天,解决单通问题刻不容缓.引起单通现象的原因很多,BTS、BSC、SXC、MSC等各个环节的故障都可能导致单通.本文就日常维护中遇到的部分单通故障进行归纳总结,并结合NO KIA网元设备阐述如何快速定位单通的故障段落.     

改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.     

Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除

研究了Ar 刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar 刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAs PL强度增加,而n-InP和p-InP PL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar 刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.     

当前我国中小企业面临严重生存困境

"95%左右的中小企业都是民营企业,但它们却面临着规模上重大轻小、嫌贫爱富的融资歧视。"当前,我国中小企业面临着严重的生存困境,要摆脱困境才能转型升级。当前中小企业生存困境最突出的表现有三个:一是前所未有的融资难;二是十分严峻的用工荒;三是全方位进入高成本的时代。     

一种适用于严重衰减串行链路的3.3 Gbit/s模拟均衡器

介绍了一种用于严重损耗串行链路的连续时间线性均衡器(CTLE)。为了解决传统均衡器存在的过均衡和欠均衡问题,提出了一种低频增益线性可调的改进结构,实现了对不同衰减信道的增益补偿。该结构主要包括均衡滤波模块和直流失调消除模块。均衡滤波模块采用均衡单元串联的结构,提高了对信号高频成分的补偿能力。直流失调消除模块用来消除芯片制造过程中因失配而产生的直流偏移。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计,总面积为1.2 mm×0.65 mm。测试结果表明,当速率为3.3 Gbit/s的数据通过损耗为18.8 dB的信道时,均衡器工作正常。在1.8 V的供电电压下,芯片整体功耗为124.2 mW。     

Al-Cu合金中θ'相内位错运动导致的局部分解CSCD

利用透射电子显微镜(TEM)研究了等通道转角挤压变形(ECAP)后的Al-Cu合金的微观组织的演化。研究发现随着挤压道次的增加,基体晶粒细化,且析出相θ'逐渐发生局部分解。在1道次变形后,位错首先在θ'/Al基体的界面上产生并运动到相邻的θ'/Al基体界面上,基体中位错密度大大增加。在2道次变形后,基体中位错缠结形成沿剪切方向的亚晶界;同时塞积在θ'/Al基体界面上的位错导致θ'相内部产生很高的应力集中,从而使θ'相内部位错开动,θ'相弯曲,部分θ'相发生破碎现象。在3道次和4道次变形后,基体中的亚晶界逐渐转变为等轴晶;大量的θ'相无序排列,位错切割θ'相成小颗粒,且在位错滑移面周围θ'相发生局部分解。     

RI与大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者VCSS评分的相关性分析

探讨基于彩色多普勒超声检查的深静脉反流指数(RI)与大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者静脉临床严重程度评分(VCSS)的关联性。选取150例大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者作为研究组,并选取60例同期未合并股腘深静脉反流的大隐静脉曲张患者作为对照组,所有患者进行彩色多普勒超声检查。结果显示,研究组反流时间、反流速度及RI均高于对照组(P<0.05);反流时间、反流速度及RI诊断大隐静脉曲张患者股腘深静脉反流的AUC分别为0.820、0.749、0.832,联合诊断的AUC为0.875;反流时间、反流速度及RI仍与大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流显著相关(P<0.05);大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者RI、VCSS评分与静脉反流程度呈正相关(r=0.912、0.806,P<0.05);大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者RI与VCSS评分呈正相关(r=0.738,P<0.05)。基于彩色多普勒超声检查的深静脉RI与大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流患者VCSS评分呈正相关,可辅助临床评估患者病情,且反流时间、反流速度及RI在诊断大隐静脉曲张合并股腘深静脉反流方面具有...