Toppan Photomasks荣获华润上华颁发的“十大最佳供应商奖”

<正>Toppan Photomasks股份有限公司日前宣布,它荣获晶圆制造商华润上华科技有限公司(CSMC)颁发的2007年度"十大最佳供应商奖",这是领先的中国模拟芯片代工厂商第一次授予光掩模制造商的最高嘉奖。     

基于卷积神经网络的刺绣风格数字合成

针对刺绣风格数字化模拟方法立体感不强、缺少线条方向等问题,提出了一种基于深度学习和卷积神经网络的算法,将刺绣艺术风格传输到目标图像。利用图像语义分割网络及风格迁移网络,分别对目标内容图像与刺绣艺术风格图像进行目标提取和风格迁移。首先,输入目标内容图像与刺绣艺术风格图像,采用基于条件随机场的图像语义分割,将目标内容图与刺绣艺术风格图的前景与背景分离,并进行二值化处理,形成掩模图像;其次,将目标内容图与刺绣艺术风格图的RGB颜色空间转换为YIQ;最后,参照掩模图像使用VGG19网络模型提取目标内容图的内容特征及刺绣艺术风格图的风格纹理特征进行目标区域内的风格迁移,从而对刺绣艺术进行数字化模拟。该算法能模拟出具有刺绣艺术效果的结果图像,能更好地模拟真实刺绣艺术的线条方向,突出了线条的立体感。通过使用语义分割与风格迁移相结合的方法,有效模拟了色彩艳丽、立体感强的刺绣艺术风格图像,是对非真实感绘制的有效补充,为刺绣数字化保护与非物质文化传承奠定了基础。     

印刷制作的双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的稳定电子发射

应用带保护气进行烧结的方法,制作了一种双半导体底层碳纳米管薄膜阴极.利用烧结的银浆形成条形银电极,在条形银电极表面制作了具有相同宽度且平行排列的ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层,在掺杂底层上面制备了碳纳米管膜层.由于保护气的防氧化屏蔽,碳纳米管膜层中的碳纳米管未受损害,ZnO粒子和TiO2粒子也在烧结过程中得到了很好地保护,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极获得更优的电子发射特性,且电子发射稳定性也得到有效增强.与普通条形银电极碳纳米管阴极相比,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极能够将开启电场从2.09V/μm降低到1.91V/μm,将最大电子发射电流从1 653.5μA提高到2 672.9μA.在2.69V/μm电场作用下,普通条形银电极碳纳米管阴极的电子发射电流仅为421.1μA,而双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的电子发射电流能够达到723.5μA.从发射电流稳定性实验曲线可以看出,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极实现了稳定的电子发射,表明ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层能够应用于真空环境.利用数码相机获得了具有良好质量的发射图像,验证了双半导体底层碳纳米管薄膜阴极制作的可行性和适用性.     

亚微米光刻与光掩模新技术现状与研发前景

介绍了光刻与光掩模技术背景与特征,及其创新技术研发的前景与市场机会.     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。     

共焦显微镜中变距圆光栅函数掩模的研究

针对带有光瞳掩模的超分辨系统,提出了一种基于极坐标的性能 价标准,同时根据衍射光学相关理论,提出了变距圆光栅函数掩模花样。模拟计算结果表明,在共焦系统中掩模可以改变系统的点振幅响应,从而提高分辨率,并增强图像的反衬度。     

可提高光刻分辨率的新技术

详细研究了离轴掩模的原理,将离轴照明(OAI)与相移掩模(PSM)技术结合起来,在掩模上同时实现两种功能,较大程度地提高了光刻分辨力.实验表明,在数值孔径 0.42,线曝光波长下,可将光刻分辨力从 0.8μm提高到 0.5μm.     

二元光学元件的制作及其误差分析

详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺,包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法．针对用于ＣＯ２激光器模式优化的二元光学反射镜,分析了元件制作误差,包括掩模对准误差、台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式的影响．     

量子点网点导光板的制备及性能研究

为了实现量子点背光源的白平衡,将红量子点和绿量子点与油墨均匀混合,采用丝网印刷的工艺将混合后的量子点浆料印刷到导光板的下表面,作为导光板的网点,在侧边蓝光LED激发下,使红、绿量子点发光并和蓝光共同复合发光。通过调整优化量子点在混合浆料中的比例和红、绿量子点的配比最终实现白平衡。利用OLYMPUS显微镜、F-4600荧光分光光度计和SRC-200M光谱彩色亮度计对量子点网点导光板表面形貌和光学性能进行了表征和分析。实验结果表明:当量子点在混合浆料中的质量分数为7%并且红量子点和绿量子点满足1∶12时,能够实现白平衡,CIE 1931色坐标为(0.330 8,0.327 1),色温为5 588 K,在100 m A的激发电流下亮度可达4.136×10~3cd/m~2,色域为NTSC的122.4%。     

丝网印刷三极CNT-FEA的研制

制作三极型场发射阵列(FEA),传统上都依赖薄膜工艺及光刻技术.这在很大程度上限制了印刷型碳纳米管阴极的优势.通过改进全丝网印刷工艺,包括一项改进的栅极烧结工艺和一项洁网技术,成功地制作出,32×32的三极型以碳纳米管为阴极的场发射阵列(CNT-FEA).该三极型CNT-FEA具有显著的栅控特性.栅压在150～300 V可以对阳极电流实现良好的控制.栅控电流放大系数超过180.