业界动态

科利登推出Sapphire—D10作为消费类芯片量产测试解决方案;中芯国际和SYNOPSYS发布设计参考流程2．0;中强光电在其30英寸LCD平板电视中采用了安捷伦的照明和色彩管理系统;英特尔和康宁达成联合开发极深紫外(EUV)掩模基板的协议;瑞萨论坛2005扬帆起航好用的MCU照耀世界科技前景;环球仪器加强亚洲业务开发力度;传中芯国际0．18μm产能利用率超越台积电。     

印制板液态感光成形阻焊膜制作及品质控制

本文对印制板液态感光成形阻焊剂的制作进行了简单介绍,对该制程的工艺过程和品质控制进行了较为详细的论述。     

PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究

采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅（PZT）薄膜,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙（UCPBG）结构,测试了结构的电磁参数,证实了结构的可行性,在此基础上提出了一种基于PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射频（RF）天线结构与工艺设计。     

三维金属MEMS器件电化学制造技术

EFAB技术是微加工领域一项重大的突破,开辟了MEMS金属器件加工的新天地,与其他微加工技术相比,EFAB技术的主要优点是:可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想,EFAB利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来,可以加工任意形状的金属三维微结构。介绍了EFAB技术原理,并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析,最后给出了应用实例。     

Mapper向台积电发货电子束光刻系统 用于22nm节点

<正>Mapper Lithography日前表示,公司已经向台积电(TSMC)发货其首套300mm电子束(e-beam)无掩模光刻工具,用于22nm工艺研发和器件原型制作。"Mapper的技术为22nm及更高节点具有成本效益的制造提供了很大的保障,"TSMC研发部副总裁Jack Sun表示:"因此我们将评估Mapper的方案,采用该公司第一套这种工具,我们能够探究出它是否适合量产制造。     

Toppan Photomasks荣获华润上华颁发的“十大最佳供应商奖”

<正>Toppan Photomasks股份有限公司日前宣布,它荣获晶圆制造商华润上华科技有限公司(CSMC)颁发的2007年度"十大最佳供应商奖",这是领先的中国模拟芯片代工厂商第一次授予光掩模制造商的最高嘉奖。     

基于卷积神经网络的刺绣风格数字合成

针对刺绣风格数字化模拟方法立体感不强、缺少线条方向等问题,提出了一种基于深度学习和卷积神经网络的算法,将刺绣艺术风格传输到目标图像。利用图像语义分割网络及风格迁移网络,分别对目标内容图像与刺绣艺术风格图像进行目标提取和风格迁移。首先,输入目标内容图像与刺绣艺术风格图像,采用基于条件随机场的图像语义分割,将目标内容图与刺绣艺术风格图的前景与背景分离,并进行二值化处理,形成掩模图像;其次,将目标内容图与刺绣艺术风格图的RGB颜色空间转换为YIQ;最后,参照掩模图像使用VGG19网络模型提取目标内容图的内容特征及刺绣艺术风格图的风格纹理特征进行目标区域内的风格迁移,从而对刺绣艺术进行数字化模拟。该算法能模拟出具有刺绣艺术效果的结果图像,能更好地模拟真实刺绣艺术的线条方向,突出了线条的立体感。通过使用语义分割与风格迁移相结合的方法,有效模拟了色彩艳丽、立体感强的刺绣艺术风格图像,是对非真实感绘制的有效补充,为刺绣数字化保护与非物质文化传承奠定了基础。     

印刷制作的双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的稳定电子发射

应用带保护气进行烧结的方法,制作了一种双半导体底层碳纳米管薄膜阴极.利用烧结的银浆形成条形银电极,在条形银电极表面制作了具有相同宽度且平行排列的ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层,在掺杂底层上面制备了碳纳米管膜层.由于保护气的防氧化屏蔽,碳纳米管膜层中的碳纳米管未受损害,ZnO粒子和TiO2粒子也在烧结过程中得到了很好地保护,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极获得更优的电子发射特性,且电子发射稳定性也得到有效增强.与普通条形银电极碳纳米管阴极相比,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极能够将开启电场从2.09V/μm降低到1.91V/μm,将最大电子发射电流从1 653.5μA提高到2 672.9μA.在2.69V/μm电场作用下,普通条形银电极碳纳米管阴极的电子发射电流仅为421.1μA,而双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的电子发射电流能够达到723.5μA.从发射电流稳定性实验曲线可以看出,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极实现了稳定的电子发射,表明ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层能够应用于真空环境.利用数码相机获得了具有良好质量的发射图像,验证了双半导体底层碳纳米管薄膜阴极制作的可行性和适用性.     

亚微米光刻与光掩模新技术现状与研发前景

介绍了光刻与光掩模技术背景与特征,及其创新技术研发的前景与市场机会.     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。