共焦显微镜中变距圆光栅函数掩模的研究

针对带有光瞳掩模的超分辨系统,提出了一种基于极坐标的性能 价标准,同时根据衍射光学相关理论,提出了变距圆光栅函数掩模花样。模拟计算结果表明,在共焦系统中掩模可以改变系统的点振幅响应,从而提高分辨率,并增强图像的反衬度。     

二元光学元件的制作及其误差分析

详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺,包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法．针对用于ＣＯ２激光器模式优化的二元光学反射镜,分析了元件制作误差,包括掩模对准误差、台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式的影响．     

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法,设计并利用电子束直写系统加工了实现邻近效应校正的灰阶编码掩模,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正,获得了满意的实验结果,在可加工０．７微米的Ｉ线曝光装置上获得了经邻近效应校正的０．５微米光刻线条。     

亚微米光刻与光掩模新技术现状与研发前景

介绍了光刻与光掩模技术背景与特征,及其创新技术研发的前景与市场机会.     

全内反射全息光刻技术

介绍了全内反射（ＴＩＲ）全息光刻技术的发展情况、基本原理以及其中的关键技术。     

印制板液态感光成形阻焊膜制作及品质控制

本文对印制板液态感光成形阻焊剂的制作进行了简单介绍,对该制程的工艺过程和品质控制进行了较为详细的论述。     

PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究

采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅（PZT）薄膜,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙（UCPBG）结构,测试了结构的电磁参数,证实了结构的可行性,在此基础上提出了一种基于PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射频（RF）天线结构与工艺设计。     

直接电化学法检测烟酰胺腺嘌呤二核苷酸

本实验所用丝网印刷电极(SPCE)对烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)具有极好的直接电化学响应性能,在低电位(+0.200V)无需任何修饰的情况下,NADH在SPCE电极表面被氧化,据此可测定其含量。在最优实验条件下,NADH的氧化峰电流与其浓度在2.5×10-6~2.0×10-4 mol/L范围内呈线性关系,相关系数r=0.9992,检测限可达1.0×10-6 mol/L。该方法检测快速、灵敏度高、重现性好,具有良好的应用前景。     

基于NSCT的反锐化掩模遥感图像增强方法

针对传统图像增强过程中产生的伪吉布斯现象,清晰度差和对比度低的问题,提出一种基于非F采样Contourlet变换（NonsubsampledContourletTransform,NSCT）的反锐化掩模图像增强算法。该算法一方面利用NSCT变换的平移不变性,抑制传统增强算法中产生伪吉布斯现象,另一方面用反锐化掩膜算法来处理图像,提高增强后图像的清晰度和对比度。实验仿真结果表明,本文提出的方法与Conlourlet增强方法,反锐化掩模增强方法相比能够有效提高图像的清晰度,对比度和抑制伪吉布斯现象,图像视觉效果有明显改善。     

硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术

选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅（100）为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明：原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20nm左右,具有较高的可信度和可重复性。正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014atomscm-2,曝光时间约为20min。