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871.
本文对印制板液态感光成形阻焊剂的制作进行了简单介绍,对该制程的工艺过程和品质控制进行了较为详细的论述。 相似文献
872.
873.
葡萄糖氧化酶在纳米金修饰的丝网印刷电极上的直接电子传递及应用研究 总被引:3,自引:0,他引:3
制作了一次性使用的无介质丝网印刷传感器。研究了葡萄糖氧化酶在纳米金修饰的丝网印刷碳电极(GOD/Au/SPCE)上的电化学行为,在0.1mol/L和pH5.0的磷酸盐缓冲体系中,吸附在金胶纳米粒子上的葡萄糖氧化酶能保持其生物活性并催化溶解氧的还原,还原催化电流随葡萄糖溶液的加入而降低,线性范围为3.0×10-5~4.0×10-4mol·L-1,检出限为1.0×10-5mol·L-1。方法简便快速,可用于葡萄糖的测定。 相似文献
874.
875.
针对传统图像增强过程中产生的伪吉布斯现象,清晰度差和对比度低的问题,提出一种基于非F采样Contourlet变换(NonsubsampledContourletTransform,NSCT)的反锐化掩模图像增强算法。该算法一方面利用NSCT变换的平移不变性,抑制传统增强算法中产生伪吉布斯现象,另一方面用反锐化掩膜算法来处理图像,提高增强后图像的清晰度和对比度。实验仿真结果表明,本文提出的方法与Conlourlet增强方法,反锐化掩模增强方法相比能够有效提高图像的清晰度,对比度和抑制伪吉布斯现象,图像视觉效果有明显改善。 相似文献
876.
选取不同尺寸和形状的物理掩模,以硅表面直接生长的十八烷基硅烷小分子自组装单分子层作为抗蚀剂,硅(100)为衬底,亚稳态氦原子作为曝光源,利用湿法化学刻蚀方法在衬底上制备具有纳米尺寸分辨率的硅结构图形。基于扫描电子显微镜、原子力显微镜的表征结果表明:原子光刻技术可以把具有纳米尺度分辨率的正负图形通过化学湿法刻蚀技术很好地传递到硅片衬底上,特征边缘分辨率达到20nm左右,具有较高的可信度和可重复性。正负图形相互转化的临界曝光原子剂量约为5×1014atomscm-2,曝光时间约为20min。 相似文献
877.
介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展。新技术的基本原理是;光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中闯的电介质保护层实现了近场光的最佳耦合,减小了线宽并大大提高了光刻速度。这种膜层结构叫超分辨近场结构(Super-RENS),是近年来发展起来的一种新的近场光学技术。 相似文献
878.
879.
相位掩模法制作光纤光栅的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
准分子激光照射相位掩模后,在近场形成周期的条纹分布,利用近场光强对光敏光纤进行曝光,可以在纤芯中写入光栅,从衍射的频谱理论出发,导出具有一定发散的准单色准分子激光照射掩模时产生的近场光强分布,分析了光源发散角及掩模衍射特性对纤芯 强分布及光纤光栅制作的影响,并把分析结果与实验现象进行了比较。 相似文献
880.