基于石墨烯修饰的分子印迹膜丝网印刷电极快速测定烟草中苯霜灵农药残留

建立了一种基于石墨烯修饰的分子印迹膜丝网印刷电极快速检测烟草样品中苯霜灵的电化学分析法。利用石墨烯的信号放大作用,结合分子印迹技术,以丙烯酰胺为功能单体,苯霜灵(Ben)为模板分子,在石墨烯修饰的丝网印刷电极表面,通过紫外引发聚合形成能识别苯霜灵分子的印迹敏感膜,采用循环伏安法、差分脉冲伏安法研究了印迹膜的结构、性能和分子印迹效应。该传感器对Ben的检测浓度范围为7.0×10~(–9)～6.8×10~(–4) mol/L,Ben的检出限为2.1×10~(–9) mol/L,测定结果的相对标准偏差不大于3.21%(n=5),加标回收率为101.7%～110.4%。该方法可用于烟草中苯霜灵的测定。     

基于低通滤波的相位掩模干涉图相位解调方法

 传统的四步相移算法在分析相位掩模干涉图时存在相移值误差、分辨力降低和相干噪声等不足,从而影响了动态干涉仪的性能。为了提高相位掩模干涉图的分析精度,提出了一种基于低通滤波的相位解调方法。该方法根据相位掩模引入相位的空间频率远大于被测相位空间频率的最大值,采用低通滤波的方法提取相位信息。数值分析结果表明,该方法的精度高于传统四步相移算法。分析干涉图的信噪比,合理选择低通滤波器,可进一步提高相位解调的精度。     

数字掩模灰度细分技术研究

数字掩模技术是一种很有发展前途的衍射微光学元件制作技术。实际制作时,由于感光材料具有感光非线性,实际可利用的灰度数目将小于256。即使256级灰度全部可用,也无法实现曝光量的精细控制以达到一般的加工要求。文中提出了2种灰度细分的方法,即多SLM组合调制和彩色等效灰度技术。从理论上分析了2种方法均能实现灰度的细分,从而达到曝光量的精细控制。     

微光机电系统的微绞链研制

本文讨论了非硅微机械工艺和微绞链的研制工艺。我们研制的非硅表面微机械工艺采用两次或三次掩模电镀层，聚酰亚胺和光刻胶分别作为底层和第二、第三层的牺牲层。用这套工艺，研制成功了三种不同种类的微绞链。微绞链能在基片表面作０—１８０度自由转动。     

Analysis of ultra-short pulse shaping with programmable amplitude and phase masks

Specified ultra-short pulse waveforms could be synthesized with high-resolution zero-dispersion pulse shaping system.The system and parameters are analyzed and discussed.The pulse shaping system with optimized parameters could resolve the frequency components of ultra-broad bandwidth pulse and prevent the spatial shaping of individual frequency components.The specified waveforms,Meyer wavelet and square root raised cosine pulses,are generated with programmable amplitude and phase masks.     

Micronic发布Prexision系列光掩模图形描绘仪为新一代显示器生产提供更高的图像品质

近日，全球激光图形描绘仪的领导供应商，推出Prexision-8 and Prexision-10，针对显示器应用领域的两台新的光掩模描绘仪。[第一段]     

计算机视觉中运动对象的分割方法

本文提出了一种自动的视频序列分割方法，适用于分割室外和室内视频序列中的运动物体。整体处理过程中分割效果较好，计算量适当，基本实现了对视频序列的实时性处理。     

最先进器件用高精度原版检查装置

NEC公司已开发出适于 0 15 μm规范并可高速检查的原版缺陷检查装置。目前 ,原版检查系统“LM 5 0 0 0”已产品化并开始市售。本产品的标准价格为 6亿日元 ,在今后 3年时间里 ,销售目标预计为 10 0亿日元。近年来 ,在处理器、存储器、系统LSI等方面 ,为了追求高速度、大容量 ,在电子器件的高集成度上下了很大功夫 ,取得了很大的进展。因此 ,为了在半导体硅片上曝光高集成电路图形而使用的原版 ,其超微细化工作正在加快 ,人们对这种能够高速度、高精度地检测原版缺陷的版检查系统的需求越来越强烈。至今为止 ,该公司在修正原版的激光掩…     

任意三维表面微型光器件的灰度光刻技术

使用传统的微加工技术,如各向异性或各向同性干刻蚀、湿刻蚀只能加工有限形貌的表面,为了克服这一缺点,发展了多层掩模技术、激光三维立体光刻、电子束直接写入技术等许多三维微加工技术。灰度光刻最被看好,它通过灰度掩模把加工光束能量密度分布调制成不同的形状,对光刻胶进行曝光,微型器件一次成形,不需要移动掩模或移动加工晶片,也不需要对光刻胶进行热处理,只需要对掩模版进行一定的编码和标准的光刻设备,容易和其他IC工艺相兼容,实现系统芯片结构的制作。本文分析了它的物理机制、掩模类型、编码过程、约束条件和优化方法。