CVD外延生长SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究

采用等离子体刻蚀工艺 ,以四氟化碳 ( CF4 )和氧气 ( O2 )的混合气体作为刻蚀气体 ,对常压化学气相淀积工艺制备的β- Si C单晶薄膜进行了系统的图形刻蚀研究。结果表明 ,在 Si C薄膜的等离子体图形刻蚀中 ,金属铝 ( Al)是一种很有效的掩模材料 ;可刻蚀出的图形最小条宽为 4μm,图形最小间距为 2μm,并且刻蚀基本为各向同性 ;文中还对影响图形刻蚀质量的一些因素进行了讨论。     

丝网印刷电化学传感器测定硫离子

光度法、色谱法、原子吸收法等已用于硫化氢的测定。这些方法费用高,检测时间长,不能实现H2S现场连续监测。丝网印刷电极有利于解决在线、在体分析中响应的稳定性、重现性与交叉污染等特点而备受关注。丝网印刷电化学传感器已用于环境污染物亚硝酸盐、苯酚的测定。本文在研制一次性印刷碳电极（SPCE）的基础上,研究了N,N-二甲基对苯二胺（DMPD）在印刷电极上的电化学行为及其对硫离子的电催化氧化。     

编码灰阶掩模酶蚀明胶法制作折射微透镜阵列

提出一种以重铬酸铵明胶作为记录材料 ,用编码灰阶掩模曝光 ,蛋白酶溶液作为显影剂制作折射型微透镜阵列的新方法。给出了具体实验结果     

用于偏瘫患者功能训练的全印刷柔性传感手套系统

设计并开发了一个Android系统下用于偏瘫患者功能训练(OT)的全印刷柔性传感手套系统,可实现微弱应变信号的捕捉,经控制电路接收传感器信号并通过蓝牙模块近场传输,在移动端接收数据进行同步模型仿真,通过随机森林、支持向量机(SVM)等多特征分类算法识别不同的手势,用于监测人体手部的手指弯曲运动。用于信号捕捉的柔性传感器是由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与碳纳米管(CNT)导电复合材料采用丝网印刷在聚酯纤维布料及丁腈橡胶手套等衬底上经过多层套印而成,将低成本、可丢弃的消耗品与可重复使用的硬件设备相结合,形成集成度高的混合电路系统。该系统在手部活动障碍人群的医疗复健监测等方面具有巨大潜力,同时,一次性传感手套具有清洁、卫生并能有效控制交叉感染等特点,为居家护理和监测提供切实可行的解决方案。     

灰度掩模制作统掩模图形的生成及工艺研究

灰度掩模法是目前正在积极探索的一种二元光学器件制作方法.从基于空间光调制器的灰度掩模制作方法出发,就"掩模图形的生成"和"工艺"这两个难点问题进行了深入的研究,并具体地制作了几种常用的二元光学器件的灰度掩模,为该方法进一步投入实用提供了一条较好的思路.     

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017m2,存储密度高达0.0268 mm2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。     

基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选

提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率在频域上的分布特征。设计了相应的主要频率提取方法、覆盖规则、聚类方法以及关键图形筛选方法,实现了全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选。采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon进行了仿真验证,与ASML公司同类技术的对比结果表明,本方法获得的工艺窗口优于ASML Tachyon方法。     

中心波长1080 nm的高功率光纤光栅研制与测试

介绍了基于紫外光侧写和相位掩模法制作双包层光纤光栅的工艺,制作了一对中心波长1080 nm的光纤光栅,测试光谱得到其反射谱带宽分别为2 nm和1 nm。采用自制的光纤光栅搭建了一个高功率光纤振荡器,得到最高502 W的激光输出,并测试了输出激光的光谱和光束质量。     

基于可分解设计的LDPC码掩模和叠加矩阵设计

文中提出一种设计LDPC码的掩模矩阵和叠加矩阵的新方法。该方法使用可分解设计的关联矩阵构造掩模矩阵和叠加矩阵,并结合结构化矩阵得到更稀疏的准循环校验矩阵。数值仿真结果表明,与CCSDS标准中的LDPC码相比,所构造的LDPC码的译码性能均有所提升,并且译码收敛很快。     

低陡度光刻胶光栅槽形研究

为控制全息光刻胶光栅槽形,从研究显影时间、显影液温度等对光刻胶特性曲线的影响出发,采用计算机模拟和实验方法,制作出底部占宽比30%左右,陡度65°左右的低陡度光刻胶光栅掩模.研究发现：启动曝光量随显影时间的延长而减小,光刻胶特性曲线线性部分的斜率随着显影时间的增加而增加;显影液温度高的光刻胶启动曝光量大,其特性曲线线性部分的斜率也较大.这决定了制作低陡度光刻胶光栅掩模需要使用非1∶1的干涉曝光,以及必须采用较低温度的显影液进行显影处理.最终选用1∶7的干涉曝光和15℃的显影液.