丝网印刷微电极测定水中痕量铅的差分脉冲伏安法研究

研究了用一次性丝网印刷膜片式微电极,通过阴极富集-阳极溶出差分脉冲伏安法测定水中Pb2 含量的方法。实验详细考察了电极预处理方式的选择;电极的使用次数、缓冲溶液浓度的确定;缓冲溶液的pH值、电压范围以及扫描速度对峰电流的影响;差分脉冲伏安法中各参数的选择等。实验结果表明:在pH=3.60的1.00×10-4mol/L的醋酸-醋酸钾缓冲溶液中,-1.1 V富集10 s后,溶出峰电流与Pb2 浓度在0~1000μg/L范围内呈线性关系,相关系数r=0.9959;在实际样品测量中,回收率在89.9%~103%之间;相对标准偏差为4.84%。     

多算法融合的自适应图像增强方法

提出一种多算法融合的图像增强方法,用于工程应用中的复杂降质图像的细节特征恢复.该方法汲取了Laplacian变换法、Sobel梯度法、盒状滤波法、非锐化掩蔽法及灰度幂律法等算法的优点,可对模糊图像进行自适应增强.通过拉普拉斯滤波器和梯度滤波器将原始图像分为基础层、细节层及边缘特征层;对微小细节信息及边缘特征信息进行增强,对基础信息进行压缩;然后采用盒装滤波器对图像的三个分层进行平滑过度及噪音过滤,最后使用非锐化掩蔽法和灰度变换来增加图像灰度的动态范围,从而得到增强后的图像.在相同的工况下,该方法分别与直方图均衡法、自适应伽马矫正法及小波变换的图像增强法实验结果进行对比,结果表明,该方法将图像的清晰度提高了13.1%~126.1%,能有效地处理复杂型感染的图像,避免图像过度增强,可以获得适合人眼的最佳视觉细节内容的增强效果.     

硅基非球面柱面微透镜阵列制备方法

非球面柱面微透镜是一种重要的微光学元件,具有激光准直、聚焦、匀化等功能,在激光通信、光纤传感、激光雷达测距、激光泵浦等系统中具有广泛的应用。为了减小光电系统的体积、提升光纤性能,增大透镜数值孔径是一种常用的解决方案。提出采用折射率更大的硅作为低折射率石英基底的替代材料,使得微透镜在相同体积下数值孔径大幅提升,同时可以降低加工量从而提升制备效率。针对传统石英微透镜的制备方法不再适用硅基微透镜的问题,提出基于掩模移动曝光方法制备光刻胶非球面图案,使用多次涂胶和循环曝光方法,分别解决厚胶涂覆均匀性差及曝光掩模痕迹明显等问题,最终利用等离子体刻蚀技术进行图案转移传递,从而实现微透镜的制备。以数值孔径2.9的硅基非球面柱面透镜阵列为例开展实际制备工艺实验,所制备的微透镜列阵面型精度PV为0.766 μm,表面粗糙度Ra为3.4 nm,表面光洁与设计值符合较好,验证了制备方法的可行性。该方法有望促进非球面柱面微透镜列阵在紧凑化红外光电系统中的大规模应用。     

印刷烧结工艺对单晶硅太阳电池栅线形貌及电学性能的影响

正面金属化是制备单晶硅太阳电池中的重要工艺步骤,栅线质量对电池的电学性能起着关键的作用。通过探究不同栅线处理工艺对栅线宽度的影响,发现烧结过程中栅线会向两侧崩塌,从而增加电极的遮光率,结合表征手段对这一过程进行了分析和机理阐释。在对浆料类型、网版开口宽度、网版图案以及烧结峰值温度的研究中,发现浆料中的有机物含量会影响栅线在烧结过程中的稳定性,而合适的网版开口及图案设计能降低遮光面积和栅线高度起伏,从而显著提升电池的电学性能,制得了最高转换效率为22.54%的单晶硅PERC电池。可以预见,通过优选浆料和网版,可以进一步改善单晶PERC电池的电学性能,获得更高的光电转换效率。     

丝网印刷修饰电极测量植物油的氧化诱导时间

制备了还原氧化石墨烯(rGO)、六氟磷酸1-丁基-3-甲基咪唑鎓(BMIMPF_6)和石墨相氮化碳(g-C3N4)修饰丝网印刷电极(SPME)。对SPME的修饰条件进行了优化,并采用循环伏安法和交流阻抗法对其电化学性能进行了表征。以1.0×10~(-3)mol/L LiCl-乙醇和三氯甲烷的混合液(体积比20∶3)为支持电解质溶液,利用电化学交流阻抗法测量红花籽油、杏仁油、小麦胚芽油和橄榄油的氧化诱导时间。F值和t值检验结果表明,SPME测得的植物油氧化诱导时间与国标法所测结果无系统性误差。该方法较国标法更简便、快速和灵敏。     

修饰丝网印刷电极的制备及抑郁小鼠大脑和血液样品中5-羟色胺含量的测定

制备了多壁碳纳米管和壳聚糖纳米复合材料(Multi-walled Carbon Nanotubes and Chitosan Nano-composites,MWCNTs-CHIN)修饰丝网印刷电极(MWCNTsCHIN/SPE),分别采用循环伏安法(CV)和方波伏安法(SWV)考察了5-HT在修饰丝网印刷电极上的电化学特性。在优化条件下,应用SWV法,5-羟色胺在0.30V处可产生灵敏的响应电流,且与其浓度呈线性,线性范围为0.01~1.00μmol/L,线性相关系数R为0.9969,检出限(S/N=3)为0.005μmol/L。用该方法测定慢性不可预见性应激抑郁模型(Chronic Unpredictable Mild Stress,CUMS)小鼠大脑和血液中5-HT的含量,结果表明,氟西汀组与空白组中5-HT的含量相当,模型组中5-HT的含量明显低于空白组(P0.01)。     

0-30μmi线光刻的精确套准控制

由掩模、步进机、光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此,推出一种检查掩模自身精度的新方法,它能为圆片加工提供更实用的基准,并可反映出其它误差量。研究表明,掩模厚度是决定掩模上图形位置精度的一个关键因素。衬底越厚,自身的畸变越小,掩模制作中连续加工引起的变形越小。尽管厚衬底掩模的像场几乎比薄衬底大1 倍,但6-35 m m 厚度石英衬底掩模的置位图形比2-29 m m 厚度的更准确。离轴照明(OAI) 是影响套准的另一原因,它可引发镜头像差,通过芯片倍率和旋转控制可以补偿这种误差。接触孔制作的套准控制非常重要,但相当困难,多层构造的接触孔套准控制更难。目前试制了一种分别控制x、y 向套准的方法,其是解决多层构造接触孔套准控制的一种很有潜力的方法     

X射线光刻技术研究的现状

目前看来, Ｘ 射线光刻技术能否真正应用到 ０１３μｍ 及 ０１３μｍ 以下的集成电路工业中去是光刻技术工作者很关心的一个问题。分别从光源、曝光系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对 Ｘ 射线光刻技术的现状进行了介绍,并对它的应用前景进行了简要分析。     

基于UGNX动压气体轴承止推板掩模CAD参数造型及CAM加工

止推板是三浮陀螺仪气体动压轴承的关键零件。止推板的螺旋槽又是止推板加工中的关键工艺,采用等离子加工工艺是当前满足高精度和批量生产的首选,而决定槽形形状和加工精度的掩模制造是等离子加工的重要工序。基于UGNX实现止推板螺旋槽曲线的参数化造型,按工件实际要求创建掩模实体模型,然后完成掩模CAM加工,制造的掩模已在等离子加工中使用,经试样和批生产测试表明,加工的止推板槽深精度优于0．001mm,各槽深差不大于0．001mm,槽中心线和止推板外圆交点相对于内孔中心位置差小于0．025mm,完全满足高精度航天三浮陀螺仪的要求。