极紫外投影光刻掩模阴影效应分析

极紫外（EUV）投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸（CD）都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模（物方）最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模（物方）焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22 nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。     

丝网印刷与厚膜IC技术

丝网印刷与厚膜IC技术是微电子技术的核心技术之一,IC技术是指以半导体晶体材料为基础,采用专门工艺技术组成的微小型电路或系统,分别叙述了厚膜IC与网版和厚膜IC与印墨及厚膜IC等印刷技术,简单介绍了厚膜电阻的制作工艺。     

SMT印制板设计要求（二）——焊盘与印制导线连接、导通孔、测试点、阻焊、丝网的设置

一、焊盘与印制导线连接的设置 1.当焊盘和大面积的地相连时,应优选十字铺地法和45°铺地法。 2.从大面积地或电源线处引出的导线长大于0.5 mm,宽小于0.4mm。 3.与矩形焊盘连接的导线应从焊盘长边的中心引出,避免呈一定角度,见图1(a)。     

化学修饰丝网印刷薄片碳电极测定痕量铜

采用丝网印刷技术制备一次性薄片碳电极,并在此电极上进行了化学修饰,于邻苯二酚－甲醛－NaOH溶液中的,在－0．1V~1.2V电位范围内,循环发法进行电聚合,可获得性能良好的修饰电极,该电极可用于阳极深出伏安法测量痕量铜,其响应灵敏度较裸碳电极提高50倍以上,线笥范围为2．5~50μg/L;测量的RSD为2．7％,用该电极可直接测定当是自来水中铜的含量为6．27μg/L。     

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。     

关于印制板丝网印刷定位方法的讨论

定位方法以及精度是影响网印质量的主要工艺因素之一。本介绍了传统的机械定位方法和高科技含量的非机械定位方法－－具有图像识别功能的ＣＣＤ光学视觉对位系统,并对它们的特点作了分析。     

极端远紫外光刻技术

半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 ,并且对它的应用前景进行了简要分析     

快速测定氧化还原酶活力的一次性介体电极

以葡萄糖氧化酶（GOD）为模型酶,用一次性丝网印刷电极检测氧化还原酶活力,选用具有较低氧化还原电位的单羟基二茂铁（HMF）作为电子传递介体,以电流法测定氧化酶的活力,所需时间仅为60s,线性响应范围为0～40U/mL.将电极用于检测黑曲酶发酵产生的葡萄糖氧化酶（GOD）的活力,测定结果与传统的方法相对照,具有较好的一致性,相关系数为0.9813.     

凸球面网栅激光直写技术

为了满足凹球面光刻所需的曲面网栅掩模的需求,建立了凸球面激光直接写入系统用于制作曲面网栅掩模。该系统目前支持最高20的基片倾斜,结合加工时的曝光量修正算法,在口径为50 mm、曲率半径为51.64 mm的凸球面基底上制作了矩形网栅图案,并结合双摆台联动在凸面上制作同心圆环图案。实验结果表明,现有凸球面直写系统初步具备加工凸面网栅掩模的能力,为后续的曲面掩模光刻打下坚实基础。     

X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。