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111.
采用丝网印刷法在PDP的传统Mg O保护层上制备了六硼化镧薄膜。改变工艺参数,测试了La B6/Mg O薄膜的表面形貌和光学性能,并对透明的La B6/Mg O薄膜在Xe/Ne混合气体中的放电性能进行了测试。实验结果表明,采用400目丝网和球磨后的La B6粉末有利于提高La B6/Mg O薄膜的透过率,相比于原有的Mg O衬底,透过率达到90%以上。放电测试结果表明,印刷了La B6薄膜的Mg O+La B6样品的放电性能优于传统的Mg O保护层,其中着火电压降低了7%左右,放电延迟降低了9%左右。 相似文献
112.
113.
114.
无掩模光刻技术的前景 总被引:7,自引:1,他引:6
介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。 相似文献
115.
Nong Yue He Ya Fei Guo Song Li Jian-Xin Tang 《中国化学快报》2007,18(1):111-114
A novel maskless technique,self-driving micro-fluid porous type printing(SMPTP),was reported to in situ synthesize oligonucleotide arrays on glass slide,which has the merits of low cost,high quality and simple craft.In SMPTP for fabricating gene- chips,porous fiber tubes with a number of nanometric or micron channels functioned as“active letters”and were assembled in designed patterns,which are identical to the distribution of monomers in each layer of the array,and four patterns were needed for each layer.By means of capillarity,the synthesis solution was automatically taken into porous tubes assembled in a printing plate and reached the surface.An oligonucleotide array of 160 features with four different 15-mer probes was in situ synthesized using this technique.The four specific oligonucleotide probes,including the matched and the mismatched by the fluorescent target sequence,gave obviously different hybridization fluorescent signals. 相似文献
116.
117.
本刊编辑部 《电子工业专用设备》2003,32(5):1-3,83
目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术目前还不完全成熟。在后道工艺中,成品率受第二代低k介质材料与铜集成的影响。可以预见,90nm工艺中所遇到的问题在今后的65nm技术节点将会更为加剧。得益于制造工艺惊人的技术拓展能力,现半导体业界正在排列90nm器件到65nm技术节点所能预计到的障碍。高k绝缘膜和金属电极的栅迭层在65nm技术节点之前将无法完成,既使完成,也只是应变硅和绝缘体上硅性能的改进。其次便是除ALD阻挡层和晶粒之外的双大马士革互联问… 相似文献
118.
119.