碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.     

基于SVM局部后验概率融合方法研究

研究了基于支持向量机的后验概率的应用,提出了对样本集进行分解,以产生局部后验概率,根据模式的稳健性对局部后验概率进行凸组合融合的方法.     

VCD机故障检修基本方法指导

掌握ＶＣＤ结构的主要特点，是进行ＶＣＤ机故障检修的基础。     

50W CO_2激光雕刻机控制系统

介绍非金属材料表面加工的CO2激光雕刻机的基本原理其控制系统。     

专用集成电路CAT技术的进展

本文简单地回顾了提高VLSI测试效率所采用的一些手段,讨论了在ASIC测试问题研究中出现的一些新观点、新方法、新动向,以及所取得的成果。在此基础上,文章阐明了ASIC测试技术的发展方向,并着重论述了可望在未来得到发展的,针对ASIC的功能测试方法。     

单线态氧(~1O_2)与咪唑1,4-环加成反应的理论研究

本文用量子化学从头计算方法对单线态氧(~O_2)与咪唑环加成反应的机理进行了理论研究.用能量梯度法优化获得了实验上尚未检测到的侧式桥环过氧化物(endoperoxde)的结构,并在势能面上确定了单线态氧与咪唑1,4-环加成反应的过渡态.通过对过渡态的结构特征,虚振动方向,电荷分布情况以及轨道相互作用的分析,说明这个反应的机理是同步和协同的;正反应的活化势垒为69.5kJ·mol~(-1),逆反应的活化势垒为140.4kJ·mol~(-1)(6-31G的结果).