一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究

提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。     

16位A/D转换器MAX1166的原理及应用

MAX1166是美国MAXIM公司生产的逐次逼近型16位低功耗模数转换器 ,该转换器内带4.096V精密参考源 ,同时具有并行数据输出接口。文章介绍了该模数转换器的特性、功能及实际应用电路。     

开关电源监控接口电路及故障修理

介绍了常用的开关电源监控RS232接口电路的工作原理，对监控单元上的RS232←→TTL电平转换电路进行了论述，并对此类接口电路的故障进行了分析，对修复此类故障保证开关电源数据的实时上报和通信设备的安全运行具有相当重要的意义。     

适合软件无线电片上系统的可重构处理器

在当今消费电子产品开发中日益凸显的一些问题，如市场要求和标准制定的不确定性、不可重复的工程开发成本、以及缺乏针对具体应用的IP资源等，都使得下一代嵌入式计算平台的完全可编程化成为必然趋势。然而，如果仅采用传统的可编程器件开发技术将很难达到低成本、高效率的要求。本文将介绍一种可集成于标准微处理器平台之上的可编程专用加速器解决方案。该解决方案不仅能够实现各种系统应用的开发，并且具有高度的实时性、灵活性、以及较低的成本。本文将介绍该可编程加速器的结构、编程方法及软件库的设计，并简要举例该方案在数字无线广播系统中的应用。     

Σ-ΔA/D转换技术及仿真

Σ－ΔＡ／Ｄ转换技术近年来颇受重视，因为基于该技术的Ａ／Ｄ转换器能达到很高的分辨率（１６ｂｉｔ以上），并另具一系列优点。本文对Σ－ΔＡ／Ｄ转换器的基本原理，包括过采样（Ｏｖｅｒｓａｍｐｌｉｎｇ），噪声成形（ＮｏｉｓｅＳｈａｐｉｎｇ），以及数字抽取滤波（ＤｉｇｉｔａｌＤｅｃｉｍａｔｉｏｎＦｉｌｔｅｒｉｎｇ）等内容，均作了叙述。作者还对一个２０ｂｉｔΣ－Δ转换器的算法进行了计算机仿真。该转换器采用了高阶ＭＡＳＨ噪声成形技术，而其数字抽取滤波部分则由梳状滤波器与级联的半带滤波器构成。文章中给出了仿真结果。     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

980 nm激发下Er3+/Yb3+共掺杂ZrO2-Al2O3粉末的上转换发光特性

通过固相反应法制备了Er3+/Yb3+共掺杂ZrO2-Al2O3粉末的样品,并对样品在980nm激光激发下的上转换发光特性进行了研究.从发射光谱可以发现,在可见光范围内有3个强的发光带,一个位于654nm附近的红光带和两个分别位于545nm、525nm附近的绿光带,分别对应于Er3+离子的以下辐射跃迁:4F9/2→4I15/2、4S3/2→4I15/2、2H11/2→4I15/2.其中又以Er3+离子的4F9/2→4I15/2跃迁产生的红色荧光辐射最强.对其上转换发光机制进行了分析,发现这三个发光过程都是双光子过程.对样品粉末进行了XRD检测,发现ZrO2主要以立方相为主,并且计算得到了这种立方结构的晶格常数.Al2O3固溶于ZrO2中,Al3+嵌入ZrO2后产生氧空位,导致ZrO2晶体的对称性降低,这种结构变化更有利于提高上转换效率,即上转换发光强度增强.     

第1届掺杂纳米材料发光性质学术会议纪要

由中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员会主办，中国科学院激发态物理重点实验室承办，海南大学理工学院协办的第1届掺杂纳米材料发光性质学术会议于2006年11月5～7日在海南省海口市举行。这是国内外举办的首次掺杂纳米发光材料方面的专题学术研讨会。来自全国20个省市49个单位、香港地区（3人）以及美国（2人）、荷兰（1人）的专家学者总计100余人出席了此次会议。会议共收录论文摘要101篇，其中大会邀请报告8篇、分会邀请报告12篇、口头报告36篇、张贴报告45篇。内容涉及到：新型纳米发光材料与新的纳米合成、组装技术；纳米材料发光中的激发态过程；上转换纳米发光材料；纳米材料中的限域效应、表面效应及其诱导的新现象；表面修饰与核壳结构的纳米材料；一维纳米材料线、管及纳米薄膜的结构与发光性质；掺杂纳米材料发光中的新概念、新理论.     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。