腔内倍频Nd：YAG／KTP高功率绿激光器

印度原子能研究所固体激光器研究部在高功率绿激光器领域获得了新突破，研制成功了最高功率为30．5W的连续输出绿激光器，输出波长为532nm，光一光转换效率为11．7％，电一光转换效率为4．7％，是目前世界上二极管侧面泵浦倍频Nd：YAG绿光输出激光器的最高水平。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

正交数字上变频器AD9857的使用

介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。     

数据转换系统中放大器的选择

随着广播电视技术的不断发展,模拟信号传输向数字信号传输的转换已成为必然.介绍模数转换系统中放大器的性能、关键技术,并就放大器的选择作详细探讨.     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

智能天线对移动通信网性能的影响

智能天线是目前移动通信中的热点话题之一，也是提升网络容量和改善传输质量的关键技术。本文简要介绍了智能天线基本概念，原理及其在无线网络中的重大作用。     

光通信技术发展的新亮点

自光通信问世以来，经历了研究探索、实用化、推广应用、快速发展等时期，直至2001年，达到急剧发展的高潮。随着世界经济的滑坡，通信行业的不景气，使光通信也进入了寒冷的冬天。实际上，即使在经济低速的时期，光通信的技术依然没有停止发展，而且出现了不少继续将光通信推向前进的新亮点。从技术和应用的角度，简要介绍一些光通信的新技术。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

视频流无缝拼接中的帧转换

帧转换在MPEG-2视频流无缝拼接中有着非常重要的作用。文中就压缩域视频流的无缝拼接中的帧转换技术进行了深入的分析。文中以12帧IBBP结构的GOP为例分析了拼接点处应采用的帧转换方案,在此基础上给出帧转换的具体实现,并通过一个帧转换实验对之进行了验证。