HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

用计算机测量PN结的反向物理特性

本对PN结反向物理特性，应用电子技术和计算机技术实现了对实验过程的控制和效据处理。     

ATM技术与Internet结合的实现方案与前景

本文介绍了ＡＴＭ技术与Ｉｎｔｅｒｎｅｔ相结合的实现方式，对各种实现方式进行了比较，另外也探讨了关于这种结合的前景及所需的前期准备工作。     

Gd_xY_（1－x）P_5O_（14）：Ce，Tb的发光和能量传递Ⅱ．Ce→

研究了Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ＿（０．０１），Ｔｂ＿（０．０２）体系中Ｇｄ的子晶格在Ｃｅ→Ｇｄ→Ｔｂ能量传递中的中介作用规律及ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４），ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，ＧｄＰ＿５Ｏ＿（１４）：Ｔｂ和Ｇｄ＿ｘＹ＿（１－ｘ）Ｐ＿５Ｏ＿（１４）：Ｃｅ，Ｔｂ的荧光光谱、激发光谱。结果表明，当ｘ＞０．７时，结构从单斜Ⅱ（Ｃ２／ｃ）的层状结构变为单斜Ｉ（Ｐ２＿１／ｃ）的带状结构，Ｃｅ￣（３＋）的发射光谱和Ｇｄ￣（３＋）的吸收光谱交迭增加等是Ｃｅ￣（３＋）→Ｇｄ￣（３＋）→Ｔｂ￣（３＋）能量传递几率增加的主要原因。     

F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。     

群模拟信号检测原理和系统设计

在群体模拟信号检测领域，文章提出一种非常规数字通信单总线信息传输的方法，据此方法设计的检测系统以微型计算机为主机，具有良好的用户界面，而探头则由常规电子线路加传感器组成，成本低廉。使用不同的传感器，可用于各种非电物理量群体信号检测。     

有机发光器件平板显示及彩色象元实现方案

有机发光器件（OLED）具有固体平板化的优点，用OLED制做平板显示器不仅重量轻和功耗低，而且能实现低成本的彩色大屏幕显示。本文从有机发光器件的原理出发，阐述了有机发光器件平板显示器的三色象元的一些实现方案和目前的发展状况，并对它们的基本结构及技术特点进行了比较。     

有机电致发光显示

目前已经研制出发光效率大于１５ｌｍ／Ｗ，寿命长于１０，０００小时的有机电致发光器件。本文对有机电致发光二极管的工作原理、材料和衰变机理进行了探讨，并分析了这种技术在商业显示方面的应用前景。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。