UML到Verilog同态映射在SOC系统级建模上的应用

SOC设计变得日益复杂要求我们在更高层次抽象上分析和验证系统行为。更精细的系统级建模方法变得日趋重要。文章主要目标是阐述怎样使用统一建模语言UML来构建一个复杂SOC设计框架及抽象其各个模块间行为的交互，建立了一个UML到Verilog的同态映射。提出了一个基于同态映射的从UML模型子集自动导出相应可综合Verilog描述的算法，为UML模型对于建模硬件系统提供了形式化的语义，从而能够验证并综合UML模型，加快了SOC设计流程。     

一种通用中频数字化处理平台的设计与实现

介绍了Intersil公司的数字上变频芯片HSP50415和AD公司的数字下变频芯片AD6620的功能和特点,并以这两个芯片为核心构建了一种通用中频数字化平台,可以与多种数据终端接口并实现短波、超短波高速数传。     

地铁车辆段咽喉区上盖建筑振动影响

城区地铁车辆段进行上盖物业开发可节约、集约利用地铁用地,缓解城市土地资源稀缺问题。地铁车辆段特别是其咽喉区振动是上盖物业开发的环境制约因素。为研究地铁车辆段咽喉区对上盖建筑的振动影响,建立轨道-地基土-上盖建筑三维有限元模型,采用等效荷载法,将实地采样的钢轨铅垂向振动加速度转化为列车钢轨铅垂向振动线荷载,作用于轨道上。在结合实测数据验证模型合理性的基础上,定量研究上盖平台厚度和离地高度、上盖建筑层数和结构等因素对室内环境振动(铅垂向Z振级VL_Zmax)的影响。结果表明,地铁车辆段咽喉区对高层建筑的振动影响整体大于多层建筑;由于振动波在屋顶自由端发生反射并与入射波叠加,导致不同楼层楼板中央VL_Zmax随楼层升高略有增加;框架结构建筑室内VL_Zmax大于剪力墙结构;增加上盖平台厚度可减小建筑室内VL_Zmax;上盖建筑室内VL_Zmax随上盖平台离地高度增加而增加(即随建筑楼层绝对离地高度增加而增大)。研究结果可为地铁车辆段上盖物业开发振动污染防治提供理论和工程技术依据。     

基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构研究

纳磁逻辑电路具有低功耗、非易失和可常温下制备等优点, 实现低功耗片上时钟是其集成化的必备条件. 本文提出了一种基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构, 用载流铜导线产生的奥斯特场将铁磁体薄膜覆层进行磁化, 然后依靠铁磁体层与纳磁体界面存在的交换作用场使后者磁化方向发生翻转. 与轭式铁磁体时钟用外磁场控制纳磁体磁化方向相比, 该方案在功耗方面降低了5/6, 时钟边界杂散场强度降低了2/3, 达到降低功耗、减轻串扰的目的. 此外, 采用微磁仿真进一步验证了该时钟结构上的纳磁体逻辑阵列可以实现逻辑功能. 关键词： 纳磁逻辑 片上时钟 交换作用     

超薄金壳包覆NaYF4:Yb,Er@SiO2纳米结构的可控合成与表面增强上转换荧光

利用原位还原法成功制备了尺寸均一、超薄完整金壳包覆的NaYF₄:Yb,Er@SiO₂@Au（NSA）纳米结构,其XRD、TEM、EDX、HRTEM-HAADF、Mapping及吸收光谱表征结果表明,SiO₂壳及纳米金壳的平均厚度分别约为5 nm和2 nm。在980 nm连续激光激发下,系统研究了核壳结构的上转换荧光强度与氯金酸浓度的依赖关系。稳态光谱结果显示,NSA与仅SiO₂包覆样品（NS）相比Er³⁺的红绿荧光强度均增强了~2.8倍。通过分析上转换荧光动力学过程及利用FDTD方法模拟,讨论了表面等离激元增强上转换荧光的机制。     

基于应变式压力传感器的高精度网络化称重系统研究

H30A型国产应变电阻式压力传感器的高精度网络化叉车称重系统由四部分组成:即压力传感器、微弱信号检测模块、人机交互模块以及无线通信模块.其量程为1吨,综合精度达到0.02％,处于国际先进水平.此外,该称重系统具有网络化通信功能,实现了一对一,一对多,多对多的网络化通信功能.为工业柔性生产,智能化管理,提供了强有力的技术...     

自适应光电混合互连分流结构建模与性能分析

针对片上光电混合互连网络(hybrid optoelect ronic network-on-chip,HONoC)拥 塞控制与自适应能力差、无法实现光电联合仿真等问题,提出一种适用于可重构阵列处理器 的自适应光电混合互连分流结构,在此结构上设计了自适应分流路由算法与一种低损耗无阻 塞的5端口光路由器,并搭建了基于System verilog与Verilog的光电混合互连功能仿真与 性能统计模型。实验结果表明,在边缘节点阻塞的情况下所设计的路由算法避免拥塞能力平 均提升了17.5%,光路由器所需交叉波导与微环谐振器数量大幅减少,平均光路由器级插入 损耗仅为0.522 dB,所设计的光电混合互连性能统计模型具有支持 设计拓扑、结构和路由策 略等功能,并且可以对资源使用、功耗开销、插入损耗等性能进行统计分析。     

22 nm FD-SOI静态随机存储器的可靠性研究

针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响.通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数.测试结果表明,不同的工艺角对输出电平和工作状态的影响较小.随着电压的增加,静态电流随之增加,最大工...     

基于介质上电润湿的液滴产生器的研究

根据介质上电润湿的基本原理,对用于数字微流控系统的"三明治"结构器件中影响液滴输运和产生的因素进行了理论分析,并研制出了一种新型液滴产生器原型:液体被夹在上下两个电极板之间;下极板采用硅作为衬底、LPCVD掺杂多晶硅微电极阵列上热氧化生长的的SiO2薄膜作为介质层;上极板采用ITO透明导电玻璃板作为地电极;另外,在上下极板的表面都均匀旋转涂覆了一层30 nm厚的Teflon薄膜为表面疏水层.实验结果表明,在空气气氛中,该器件在10 Hz 70 V的脉冲电压下成功地实现了从蓄水池中对去离子水滴的分发.     

COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究

运用实验和有限元模拟相结合的方法，研究了非导电膜和金金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响，并分析了样品的失效部位和失效原因．挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明，小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻．讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要求．