源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

微区电阻测试方法及新测试仪研制

文章对国内外开展微区薄层电阻测试的方法进行了综述，特别对改进范德堡四探针技术方法的测试原理、测试过程与测试结果进行了论述与分析，对微区电阻测试方法的进一步发展提出了一种可操作的方法，并研制出新型四探针测试样机。     

广播电视中心技术工艺的设计和实践

本文从理论到实践，较为全面地阐述了广播电视中心建设中技术工艺系统的设计思想、功能设置、技术特点以及可供参考引用的规范和标准。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

基延线附近船位位于正区还是负区的预测方法

提出了我国罗兰Ｃ系统基延线附近定位计算的关键措施－船位位于正区还是负区的预测方法。     

Ar—Hg放电中253.7nm发光效率与管径的关系

采用正柱区的模型对Ａｒ－Ｈｇ放电２５３．７ｎｍ发光效率与管径的依存关系进行研究。结果显示在５０Ｈｚ和５０ｋＨｚ下电场的波形，２５３．７ｎｍ的发光效率，电子能量和电子密度的测量波形与计算波形很好地一致。     

Nash平衡的存在性与稳定性

本文对Nash平衡的存在性与稳定性作了较为详细的研究和综述.     

上海市集成电路行业协会2001年度工作

国务院总理朱钅容基在国家机关党的第十三次会议上讲到,中央国家机关要抓三个转变:一是转变政府职能,二是转变工作作风,三是转变工作方式。如果这三个转变不进行,政府机构改革成果将付之东流;如果人不减、庙撤了、职能不变,人员随时就会膨胀起来。改革逼迫我们尽快培育和发展行业协会,使行业协会的作用真正得到发挥,并承担起政府转换出去的一些职能。这实际上是政府机构改革后对行业协会的培育和发展提出的一个新的迫切要求。行业协会应定位在自律性行业管理组织上,应以服务为宗旨,同时做好自律、协调、监督工作。行业协会要反映企业意愿,为本行业企业提供信息和人才培训等方面的服务,协调行业内部企业之间的竞争与合作关系,指导企业的健康发展。行业协会要把服务作为唯一的宗旨,一切工作都要围绕这一宗旨进行。上海市集成电路行业协会于2001年4月19日成立(5月1日以社会法人登记注册)以来,至12月底协会会员发展到158家。本刊经同意摘要转载了上海市集成电路行业协会工作汇报,以便业内了解。