KDP晶体三倍频实验和分析

报道了ＫＤＰ晶体中的三倍频产生的实验研究，计算了比较了直接三倍频过程和级联过程对ＫＤＰ晶体三阶有效非线性系数的贡献，并探讨了ＫＤＰ作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。     

关于三商映射

三商映射是完备映射和开映射的共同推广。本文综述三商映射的理论，论术这三商映射，开映射，紧覆盖映射，诱导完备映之间的一些转换关系，提出了几个供进一步研究的问题。     

NTT DoCoMo第三代移动通信服务FOMA

FOMA作为世界上第一个3G商用服务备受关注，主要介绍FOMA的业务、终端、费用及发展概况，并简要分析其发展中存在的问题。     

第三代移动通信系统带来的挑战

ＩＭＦ－２０００是国际电联提出的一个全球覆盖的，具有高度智能和个人服务特色的移动通信网。它容纳了不同的系统和终端，具有世界统一的频率并提供比第二代系统更加先进的分组数据和多媒体业务，ＩＭＦ－２０００基于ＩＴＵ－ＴＱ．１２００建议和ＩＴＵ－ＴＭ．３００建议，在不同网络间提供最大程度的互通。利用自适应软件可下载终端来支持频段，多环境能力；关键参数可按需要选择，再加上更高的频谱利用率，该系统特别适合于发     

弥散型金属薄膜逾渗系统的临界特性

报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。     

基模抑制的三次泛音石英谐振器

基模抑制的石英谐振器是能陷理论的新应用，是一种新型的石英谐振器。本文简要论述了低次谐波抑制的概念及原理，给出了ＡＴ切基模抑制的三次泛音石英谐振器试验数据，并与一般的泛音晶体作了比较。试验数据表明，６７ＭＨｚ三次泛音的等效电阻约为３５Ω，而基频的等效电阻约为２８０Ω，是三次泛音等效电阻的８倍，从而使基模得到了抑制。     

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。     

第三代电子器件—真空FET的现状

概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中.     

国外三座标测量系统发展动向

本文介绍了国外先进的工件加工测量系统。这些系统测量精度高、速度快、自动化性能强,成为工件加工的质量保证。     

高阻带抑制有源声表面波滤波组件

介绍有源声表面波滤波组件的设计思路。报道最新研制的高性能滤波组件，其中心频率４０ＭＨｚ，３ｄＢ相对带宽０．８％，阻带抑制优于１００ｄＢ，矩形系数（Δｆ１００ｄＢ／Δｆ３ｄＢ）小于３，输入输出端口电压驻波比接近１。组件体积８５ｍｍ×３５ｍｍ×２４ｍｍ，重量小于１１５ｇ