Coherent Landau states with gauge invariance

Coherent states for the Landau system (planar charged particle moving in a uniform magnetic field) are developed. It is convenient to use these states to describe the circular motion of the charged particle. The results obtained do not depend on gauges.     

基于平行活动围道模型的高分辨率遥感影像城区主干道路段提取

为了提取并表示高分辨率遥感影像中的主干道路段,提出了一种多分辨框架下的平行活动围道模型的算法.该算法在活动围道模型原理的基础上,重新定义各能量项:采用抛物线做为道路段的先验模型,增加了平行性能量,并采用多分辨框架下的梯度做为外部能量.该模型的优化过程实现了道路的定位,得到的结果是平行抛物线的参数,实现了道路的矢量表示.实验结果表明,能有效提取高分辨率遥感影像中的主干道路段.     

新型密度秤

学习了密度知识，我们知道密度等于质量与体积的比值．根据这一原理，我们制作了液体密度秤，它与实验室的密度计相比，有许多优点：不分轻重表，刻度均匀，可测少量（100ml）液体的密度．下面介绍这种密度秤的原理、制作及使用方法．     

J／φ→π^＋π^—π^0衰变中的A值分布

考察了 J/ψ→π+π- π0 衰变中的 A值分布 ,所定义的 A值是一个由末态π介子动量构成的一个无量纲的量 A =(Pπ-x Pπ+y - Pπ-x Pπ+y ) /P+π P- π ,其中 Ph、Phx 与 Phy 分别表示强子 h的动量的大小、该动量沿 X轴与 Y轴方向的分量 .这里 J/ψ是由 e+e- 碰撞产生的 ,而 e+的动量方向被取为 Z轴正向 .如果实验上能够证实 A的事例平均值〈A〉不等于零 ,则存在 CP(由电荷共轭变换与空间反演变换构成的联合变换 )或者 T(时间反演变换 )破坏 .通过筛选到的 748个事例 ,测得〈 A〉=0 .0 10 39± 0 .0 146 1± 0 .0 15 2 .进而 ,对于深入研究所需的数据样本大小和可能达到的观测水平作了数值估算 .     

组合利用统计和结构信息的道路提取算法

提出了一种组合利用统计和结构信息从遥感图像中提取道路的算法,这个算法包括三个处理步骤,利用道路的多种局部统计特性获得道路基元与道路段,以及利用能量函数提取道路边沿,在检测道路基元时,用统计分析来表达道路的结构信息,避免了提取线段来表达,增强了抗噪性与稳健性;在检测和拟合道路边沿时,能量函数中的参数由前面的运算结果确定,使算法具有自适应能力。     

激光诱导等离子体光谱技术的实验装置进展

简述了近几年来国内外激光诱导等离子体技术的发展情况,着重从实验装置的几个方面进行分析,包括激光能源、采光装置、接收装置。另外对双路脉冲激光蒸发、激发技术进行了简短的讨论。     

取样平均法提高CCD多道探讨器信噪比

应用取样平均法有效地提高了ＣＣＤ光学多道探测器信噪比，当采样次数为ｍ时，信噪比提高√ｍ倍，应用于实验得到了高信噪比的各种光谱谱图。     

学问之道

 我没参与教研高能物理学专业工作,焉能谈经验.虚度五十载,深深体会:“学问之道其得不难者失之必易;惟艰难以得之者其能竞业以守之.     

Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process

N and P-channel groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process have been fabricated and characterized. For the devices with channel length of 140nm, the measured drain induced barrier lowering (DIBL) was 66mV/V for n-MOSFETs and 82mV/V for p-MOSFETs. The substrate current of a groove-gate n-MOSFET was 150 times less than that of a conventional planar n-MOSFET. These results demonstrate that groove-gate MOSFETs have excellent capabilities in suppressing short-channel effects. It is worth emphasizing that our groove-gate MOSFET devices are fabricated by using a simple process flow, with the potential of fabricating devices in the sub-100nm range.     

重离子融合反应入射道效应的动力学研究

运用微观输运模型-改进的量子分子动力学模型(ImQMD), 研究了弹靶质量对称体系⁷⁴Ge+⁷⁴Ge与弹靶质量不对称体系⁴⁸Ti+¹⁰⁰Mo的重离子融合反应入射道效应及其动力学机制, 并分析了复合体系的均方根半径〈r²〉^1/2和形变参量β随时间的演化过程, 结果表明质量对称的反应体系比不对称体系更容易产生形变较大的Gd, 则说明重离子融合反应中的动力学效应对大形变核的产额有很大的影响.