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181.
182.
电信运营企业必须实施全新的运营成本控制模式 在中国电信运营业重组后,将面临着新一轮的市场竞争格局;关注控制电信运营成本,提高经济效益,就成为当前电信运营企业亟待解决的重要问题.运营成本控制是根据预定的成本费用目标和既定的条件,对成本费用的发生和形成过程进行主动控制,以实现最优的成本费用方案,保证合理的成本费用补偿,实现最优盈利目标的一种全新的管理行为.运营成本控制是使成本费用管理进入预防性管理的重要标志,是降低成本费用的重要手段.  相似文献   
183.
密度泛函估计的重对数律,中心极限定理和不变原理   总被引:3,自引:0,他引:3  
设X_1,…,X_n是从分布密度为f(单变量实值函数)的总体中抽出的iid.样本.μ=EX_1。本文研究了密度泛函θ=f(μ)的核型估计为通常的Rosenblatt-Parzen核估计)的大样本性质。  相似文献   
184.
基于阿贝尔黑格斯变量的杨-米尔斯理论的红外阿贝尔化   总被引:1,自引:0,他引:1  
贾多杰 《中国物理 C》2006,30(3):196-200
通过SU(2)规范场的法捷耶夫-Niemi分解给出了有效阿贝尔-黑格斯型作用量的 一个计算方法. 具体指出了该分解中所用的自然规范固定以及阿贝尔投射与杨-米尔斯理论的红外动力学之间的内在关系. 推导出了色电场的一个伦敦型方程.  相似文献   
185.
根据工业及家庭供暖的要求,设计并研制成一种新型的热流量计,它采用方便而新颖的采集信息方式,并使用CPU精确实时的进行控制和运算,保证了热流量计的精确、实时和“分户计量”。  相似文献   
186.
本文对目前广泛使用的旧式彩色电子管发射机实现自动化控制的可行性进行了比较详细的理论分析及对控制过程进行了较为详细的介绍。  相似文献   
187.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长   总被引:2,自引:2,他引:0  
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。  相似文献   
188.
X分形晶格上Gauss模型的临界性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
李英  孔祥木  黄家寅 《物理学报》2002,51(6):1346-1349
采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词: X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质  相似文献   
189.
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.  相似文献   
190.
张远征 《数学年刊A辑》2006,27(3):365-374
本文利用广义极大原理证明了de Sitter空间中介于两个平行的、同侧的n维伪球面之间的完备常平均曲率类空超曲面一定是伪球面.对于常高阶平均曲率的完备超曲面,当截曲率有下界时,也有相应的唯一性结果.  相似文献   
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