一种具有高正向阻断电压及优良开关特性的新型静电感应晶闸管

设计并构造了一种具有条状阳极P-缓冲层结构（SAP-B）的新型静电感应晶闸管。该结构以具有p- 缓冲层和嵌入p+发射区（条状阳极区）的弱掺杂n-发射区（泄漏阳极区）为特点。与传统扩散源区埋栅结构相比,SAP-B结构可进一步简化工艺,并将扩散源区埋栅结构静电感应晶闸管的正向阻断电压从1000V提高至1600V,阻断增益从40提高至70,同时将关断时间从0.8μs降低至0.4μs。     

"龙腾R"微处理器分支处理单元的研究与设计

"龙腾R"是西北工业大学自主研制的32位高性能微处理器.该处理器的分支处理单元(BPU)能有效降低控制相关带来的延迟.通过分析已有的分支方向预测算法和分支目标地址预测策略,在分支处理单元总体约束下,合理分配分支方向预测和目标地址预测的实现代价,提出了一种基于混合分支预测器和经过改进的目标地址缓冲(grB)结构的分支处理单元结构.该结构不仅比传统的由gshare分支方向预测器构成的分支处理单元预测准确率平均高出1%～2%,并具有面积小、功耗低的特点.     

不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响

采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现。此外,仅需50nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济。     

Transmission-mode GaN photocathode based on graded Al_xGa_(1-x)N buffer layer

We create a GaN photocathode based on graded Alx Ga1-x N buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes.A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones.The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s,with negligible magnitude,proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer.     

航空公司航班正点率估计

在航空公司的航班运行管理中,估计航班的延误时间是一个困难而又重要的问题。首先通过分析连续航班的运行过程以及延误时间的波及与吸收,得到了每一个航班的延误时间的一个非线性表达式。在每个航班的过站耽搁时间与飞行耽搁时间的概率分布已知的条件下,运用了一个概率论模型,得到每个航班的出发延误时间的概率分布计算公式,从而可以估计每个航班的正点率。实际的算例表明,计算公式得到的结果与真实的航班运行结果基本吻合。     

谈SYBASE ADAPTIVE SERVER 12技术特性

介绍了SYBASE数据库的核心产品SybaseAdaptiveServer12的技术特性。     

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响，并提出利用动力学模型解释这种温度的影响．进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系．结果表明，温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌．     

天线缓冲限位系统的分析及缓冲器的产品化设计建议

分析了缓冲系统的缓冲过程，讨论了动能平衡方程，并对两类缓冲器的性能和应用作了比较。提出了按产品规格来设计缓冲器的建议。