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151.
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明, InAlAs异变缓冲层的生长温度越低, X射线衍射倒易空间图 (004) 反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽, 外延层和衬底之间的倾角就越大, 同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加, 弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层, 采用较高的生长温度时, X射线衍射倒易空间图 (004) 反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小, 77K下有更强的光致发光, 但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后, 材料中的缺陷得到抑制. 相似文献
152.
153.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异. 相似文献
154.
从我台现行的全数字制播一体化硬盘播出网络系统存在的问题出发,将ImageSAN软件的优势合并到现在的E-Net网络中,从而形成存储区域网络+因特网协议(SAN+IP)的双网结构,以此来改善由带宽引起的服务器瓶颈问题,达到真正的高效、快速、流畅的网络结构。 相似文献
155.
156.
在高速数据收发系统设计中,首先需要解决的问题是实时数据的高速缓存,然而FPGA内部有限的存储资源无法满足海量数据缓存的要求。为了解决系统中海量数据的缓存问题,系统创新提出了一种基于DDR2 SDRAM的乒乓双缓冲设计方案。方案设计了两路基于DDR2 SDRAM的大容量异步FIFO,通过FPGA内部选择逻辑实现两条通路间的乒乓操作,从而实现数据的高速缓存。实验结果表明,基于DDR2 SDRAM的数据收发系统实现了每路512 Mbit的缓存空间和200 MHz的总线速率,解决了海量数据的高速缓存问题。 相似文献
157.
中波与长波探测器的光电流及动态输出阻抗存在数量级的差别。为满足积分时间及读出信号信噪比的要求,采用像元间多电容共享的方案,设计了一种高集成度的320256双色红外焦平面读出电路。该电路选用直接注入(DI)结构作为中波输入级,而长波输入级则选用了缓冲注入(BDI)结构。其缓冲放大器采用单边结构,具有高增益、低功耗、低噪声的特点,降低了输入阻抗,提高了注入效率。基于HHNEC 0.35 m 2P4M标准CMOS工艺,完成了芯片的设计与制造。经测试,引入电容共享方案后其有效电荷容量达到70 Me-/像元,电路各项功能正常,在光照条件下,芯片呈现出高的灵敏性。在2.5 MHz读出速率下,中波及长波输出电压范围均大于2 V,非线性小于1%。在100 f/s帧频下,整体功耗小于170 mW。 相似文献
158.
基于2 μm SOI CMOS工艺,设计了一种输出电压达负电源的运放,用作12位四通道D/A转换器的单位增益缓冲。分别在VDD=+5 V,VSS=0 V,VREFH=2.5 V,VREFL=0 V以及VDD=+15 V,VSS=-15 V,VREFH=10 V,VREFL=-10 V这两种条件下测试D/A转换器性能,该转换器的INL分别为-0.31 LSB和0.27 LSB。测试结果表明,该运放的性能满足D/A 转换器的要求。 相似文献
159.
简要分析了当前语声IC开发存在的问题,并针对这些问题提出了一种基于DSP UART架构的语声IC开发系统方案。对UART(通用异步接受发送)器件TL16C550BN,语声IC———ISD4004等器件的特点做了简要介绍。在硬件电路设计部分,对如何通过TL16C550BN实现PC机与DSP之间的通信、SPI接口以及DSP与语声IC之间的接口电路均做了详细介绍。还对系统上、下位机软件的实现做了具体分析。利用本文介绍的语声IC开发系统对语声IC进行开发将更为便捷、灵活,具有较大的实用意义。 相似文献
160.