采用0．5mm带缓冲层光纤的室内光缆及引入光缆的开发

日本古河电工已经开发出0．5mm带缓冲层光纤及其室内光缆、引入光缆和8芯架空接入光缆。最新开发的带缓冲层光纤具有易操作和良好的光纤识别性等特点。而且，通过剥离缓冲涂层，可与0．25mm着色光纤完全兼容，因此，常规机械式接续工具、熔融接续工具以及其它连接工具都适用。评价了采用0．5mm带缓冲层光纤的室内光缆、引入光缆和8芯架空接入光缆，其性能同常规光缆一样优异。     

2PSK调制解调的DSP实现

设计了以TMS3205402 DSP为数字信号处理平台,对语音信号的2PSK调制与解调系统.包括DSP硬件系统结构外围电路的设计以及软件的设计两大部分.所设计的系统通过音频接口芯片TLC320AD50C进行A/D和D/A转换,通过DSP的多通道缓冲串行接口McBSP实现TLC320AD50C与DSP芯片的通信,通过DSP软件完成2PSK调制解调功能.     

a—Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用

本文测量了电池表观禁带宽度E_g~(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。     

安森美用PCNalert产品更改通知系统

IDT公司日前宣布已与Intel公司合作，在各自内存缓冲（AMB）装置的全缓冲双列直插式内存模块（FBDIMM）间实现互通。有了这项互通之后，内存模块、服务器与工作站的设计师可放心选择FB—DIMM平台，系统仍保持弹性，可随带宽需求增加而升级。     

硬质聚氨酯泡沫塑料的缓冲吸能特性评估

在对泡沫塑料缓冲吸能特性评估的常用方法进行分析后，对四种密度硬质聚氨酯泡沫塑料在各种应变率下的缓冲吸能特性进行了评估，并介绍了本构关系在泡沫材料缓冲吸能特性评估中的应用。     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.     

基于ISP技术的环形缓冲在高速数据采集系统中的应用

利用环形缓冲的办法可以解决高速数据采集系统中的数据缓冲问题 ,从而克服了单缓冲和双缓冲的缺点 ,文中给出了利用ISP技术的环形缓冲法来实现高速数据采集以简化电路、缩短系统研制周期、提高系统可靠性设计的思路 ,同时指出了其使用时的注意事项。     

氮化镓薄膜的研究进展

主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题，并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。     

MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs

用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。     

DSP的并行处理方法

TI公司TMS320C6x和AD公司ADSP2106x是目前业界使用广泛的数字信号处理嚣(DSP)．本文详细地介绍了利用TMS320C6x的接口HPI、接口McBSP以及ADSP2106x的Link接口分别组成并行DSP处理系统的方法．同时介绍了这些方法的优缺点。