在BBO中产生217.3-2 21.4nm高功率和频输出

用Q-YAG激光的三次谐波(355nm)与调谐的Rh·6G染料激光在β-BaB2O4(BBO)晶体中和频,获得217.3～221.4nm连续调谐输出,和频输出的最大能量为250μJ,转换效率为11%.我们还讨论了获取最大和频输出能量的一些实验条件.     

嵌段共聚物ET-EO纳米晶体的电镜研究

聚合物单链凝聚态是高分子物理基本问题的一个重要研究前沿，近年来，我国在单链单晶的研究上取得了一些突破性进展，证实聚合物可以形成单分子聚集态。目前，对高分子量聚氧乙烯［１］、等规聚苯乙烯［２］、顺１，４－聚丁二烯［３］及古塔胶［４］的单分子链单晶的研究...     

自发参量下转换光场的实验研究进展综述

自发参量下转换(spontaneous parametric down-conversion,SPDC)光场是基于单色泵浦光子流和量子真空噪声对非线性晶体的综合作用而产生的,它固有的量子起源决定了在非经典光场研究中的重要地位和作用.对SPDC光场的相干特性和它在绝对测量光电探测器量子效率中的应用进行了深入而细致的研究和探讨.     

Structural Phase Transformations of ZnS Nanocrystalline Under High Pressure

In-situ energy dispersive x-ray diffraction on ZnS nanocrystalline was carried out under high pressure by using a diamond anvil cell. Phase transition of wurtzite of 10nm ZnS to rocksalt occurred at 16.0GPa, which was higher than that of the bulk materials. The structures of ZnS nanocrystalline at different pressures were built by using materials studio and the bulk modulus, and the pressure derivative of ZnS nanocrystalline were derived by fitting the equation of Birch-Murnaghan. The resulting modulus was higher than that of the corresponding bulk material, which indicates that the nanomaterial has higher hardness than its bulk materials.     

长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的能量重建

提出了用于TEXONO实验中双端读出的长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的两种粒子能量重建方法———“算术平均值能量重建法”和“几何平均值能量重建法”,讨论了两种算法的理论依据和计算方法,并对两种算法进行了比较     

顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。     

激光二极管端面抽运的棒状Yb：YAG激光器

分析了影响激光二极管抽运Yb：YAG激光器调Q效率的参量，推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb：YAG晶体的速率方程，解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法，模拟了净抽运量子产率与晶体长度，抽运光脉冲宽度等关系，得出晶体长度的优化可以提高Yb：YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb：YAG激光器的最大增益、最大储能，分析了放大自发辐射对于Yb：YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb：YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。     

2,2’—二硫代双(4,6—二叔丁基苯酚)的晶体和分子结构

一种塑解剂经高压液体色谱分离制备出主要成份2,2′—二硫代双(4,6二叔丁基苯酚)。由质谱分析得到分子量为474化学式为C_(28)H_(2)O_2S_2、晶体呈现孪生。基体单晶属三斜晶系,空间群为(?)PI(NO.2),晶体结构用直接法解出,=0.07。研究结果表明该分子是二硫代酚类化合物。在EI场中,S—S键断裂是主要断裂过程。晶体中,分子的一个环上的羟基是无序分布的。羟基与最邻近的硫原子形成氢键。     

KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

本文介绍KTP(KTiOPO4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15%～0.20%。