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1.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
2.
吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
3.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
4.
Dedushenko S. K. Makhina I. B. Mar'in A. A. Mukhanov V. A. Perfiliev Yu. D. 《Hyperfine Interactions》2004,158(1-4):417-421
A colourless quartz crystal doped with 57Fe3+ was obtained by hydrothermal synthesis in an NH4F solution. The crystal was transformed into violet amethyst by gamma-irradiation. The change in colour was accompanied by changes in the Mössbauer spectrum that can be interpreted as the conversion of trivalent iron into the tetravalent state: Fe3+→Fe4+.
相似文献5.
6.
An 8-bit, 200 MSPS Folding and Interpolating ADC 总被引:1,自引:0,他引:1
An 8-bit, 200 MSPS folding and interpolating analog-to-digitalconverter, ADC, has been implemented in a 1.2 µmBiCMOS-process. It achieves 7.5 effective bits with a power dissipationof 575mW. The active area is 4mm2. The implementationand measured results are presented. A simple analytical modelfor the interpolation-induced nonlinearity in a folding and interpolatingADC using sinusoidal folding is presented. The bowing of thereference ladder due to interaction with the input stages isanalyzed, and analytical models are derived. 相似文献
7.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
8.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
9.
10.
We demonstrate a gradual surface modification process of relaxed Si0.5Ge0.5 alloy films by 100 MeV Au beam with fluence varying between 5 × 1010 and 1 × 1012 ions/cm2 at 80 K by means of atomic force microscopy (AFM). Presence of Ge quantum dots (QDs) was found in the virgin sample. The disappearance of the QDs were noticed when the samples were irradiated with a fluence of 5 × 1010 ions/cm2. Craters were found developing at a fluence of 1 × 1011 ions/cm2. Apart from the evolution of the craters, blisters were also detected at a fluence of 1 × 1012 ions/cm2. Variation of the average root mean square value of the surface roughness as a function of fluence was examined. 相似文献