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1.
为提升InGaN基可见光探测器性能,制作并测试了基于GaN/InGaN MQWs外延材料的单边凹槽叉指电极MSM结构蓝光光电二极管。凹槽电极器件的I-V特性测试结果显示,相较于传统平面电极器件,随着偏压增加,器件暗电流越小且越趋于平缓,而光电流越大;光谱响应率测试显示,器件截止带边都位于490nm附近,凹槽电极器件带边处拒绝比高于平面电极器件1个量级。当偏压为5V时,凹槽电极器件响应率为0.0346A/W@480nm,对应外量子效率为8.94%,高于平面电极器件。器件性能提升的原因是单边凹槽电极结构有效改善了内建电场的分布,从而抑制了表面传导漏电流,使得器件暗电流更小且更有利于电极收集光生载流子,提升了响应率。 相似文献
2.
本文使用数值仿真器ISE-TCAD建立了新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外探测器器件模型并研究了该探测器的器件特性。通过对新型半圆形电极结构探测器,传统结构探测器以及实验数据的全面对比验证了模型的正确性。其结果表明了该探测器的性能提升并说明了建立的物理模型对预测这种新型结构探测器性能增强而言是合适的。此外,通过调节该器件的结构参数实现优化目的,优化结果表明半圆形电极半径为2 μm, 电极间距为3 μm的探测器在290 nm具有峰值响应度0.177 A/W ,相应的外量子效率超过75%, 同时在0.3 V 偏压条件下归一化光暗电流对比度达到1.192E11 1/W。这些特性表明半圆电极金属-半导体-金属紫外光电探测器具有优异的光电集成应用前景。 相似文献
3.
4.
5.
J. C. Roberts C. A. Parker J. F. Muth S. F. Leboeuf M. E. Aumer S. M. Bedair M. J. Reed 《Journal of Electronic Materials》2002,31(1):L1-L6
Metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors have been fabricated on InxGa1−xN epitaxial films grown by metalorganic chemical vapor deposition within the composition range 0≤x≤0.13. The dark current
and spectral response were measured for devices with a varying In mole fraction x. The devices, which had nominal finger widths
and finger spacing of 5 μm, were biased with modest voltages in the range 2≤Vbias≤5 V. In general, turn-on wave-length and dark current increased with increasing x. Turn-on wavelengths ranged from λ=370
nm to 430 nm and dark current densities ranged from Idark=2×10−2 A/cm2 (Vbias=5 V, x≈0.05) to 9×104 A/cm2 (Vbias=2 V, x≈0.13) depending on the In content, x, of the device active area. 相似文献
6.
7.
Stanislav V. Averin Petr I. Kuznetzov Victor A. Zhitov Nikolai V. Alkeev 《Optical and Quantum Electronics》2007,39(3):181-192
Solar-blind MSM photodetectors based on the AlGaN heterostructures have been fabricated and investigated. The influence of
material properties on device parameters is discussed. Effect of different buffer layers on the detector performances has
been examined. Detectors exhibit low dark currents and high sensitivity within the range of 250–290 nm. Effect of optical
excitation energy on GaN-based MSM-detector performance is analyzed and discussed. At high excitation level the detector speed
of response is limited by the field screening caused by the space-charge of the holes. The impulse response of GaN-based MSM-detector
is compared favorably with GaAs MSM-device. 相似文献
8.
MSM结构硅光探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用 MSM 双肖特基势垒结构制作的硅光电二极管,在0.2~1.10μm波长范围内具有高的响应度。这种结构还可以构成横向光晶体管,共发射极电流增益为2~4倍。实验表明,MSM 结构是改善硅光电探测器光谱响应的良好结构。 相似文献
9.
Nitride-Based ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors with a low-temperature GaN layer 总被引:1,自引:0,他引:1
J. K. Sheu C. J. Kao M. L. Lee W. C. Lai L. S. Yeh G. C. Chi S. J. Chang Y. K. Su J. M. Tsai 《Journal of Electronic Materials》2003,32(5):400-402
The GaN metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetectors with a low-temperature (LT)-GaN layer have been demonstrated.
It was found that we could achieve a two orders of magnitude smaller, photodetector-dark current by introducing a LT-GaN layer,
which could be attributed to the larger Schottky-barrier height between the Ni/Au metal contact and the LT-GaN layer. It was
also found that photodetectors with the LT-GaN layer could provide a larger photocurrent to dark-current contrast ratio and
a larger UV-to-visible rejection ratio. The maximum responsivity was found to be 3.3 A/W and 0.13 A/W when the photodetector
with a LT-GaN layer was biased at 5 V and 1 V, respectively. 相似文献
10.
MSM9811是OKI公司生产的4通道混合语音合成芯片。他可以选择直接8b PCM,非线性的8b PCM,4bADCPCM和4b ADPCM2语音格式并且提供了两通道的立体音输出及音量控制。介绍了MSM9811语音芯片的引脚功能、接口命令以及具体使用方法。同时给出了用AT89C52与MSM9811构成的语音系统的硬件设计和相应的软件编程。 相似文献