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1.
Multivariate curve resolution methods, frequently used in analyzing bilinear data sets, result in ambiguous decomposition in general. Implementing the adequate constraints may lead to reduce the so-called rotational ambiguity drastically, and in the most favorable cases to the unique solution. However, in some special cases, non-negativity constraint as minimal information of the system is a sufficient condition to resolve profiles uniquely. Although, several studies on exploring the uniqueness of the bilinear non-negatively constrained multivariate curve resolution methods have been made in the literature, it has still remained a mysterious question. In 1995, Manne published his profile-based theorems giving the necessary and sufficient conditions of the unique resolution. In this study, a new term, i.e., data-based uniqueness is defined and investigated in details, and a general procedure is suggested for detection of uniquely recovered profile(s) on the basis of data set structure in the abstract space. Close inspection of Borgen plots of these data sets leads to realize the comprehensive information of local rank, and these argumentations furnish a basis for data-based uniqueness theorem. The reported phenomenon and its exploration is a new stage (it can be said fundament) in understanding and describing the bilinear (matrix-type) chemical data in general. 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
多普勒效应测试仪的改进 总被引:3,自引:0,他引:3
为了解决电磁波多普勒效应在实验室演示的困难,采用单片机和一系列大规模集成电路设计了一种演示电磁波多普勒效应的测试仪器,分析了电磁波的多普勒效应原理,给出了该仪器的组成结构,介绍了该仪器铁特点。 相似文献
7.
原子光谱线增宽的原因 总被引:3,自引:0,他引:3
本文从理论上给出了原子光谱线增宽的几种原因 ,即 :①自然线宽 ,它是原子的内禀特性 (即在跃迁中所涉及到的能级的特性 ) ;②多普勒增宽 ,它是原子无规则热运动的结果 ;③碰撞增宽 ,它是原子间相互作用的结果。并对这几种原因分别给出了数量级上的估算。对原子光谱的测定具有参考意义。 相似文献
8.
从电子上看康普顿效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在康普顿效应中,散射光子与入射光子的频率不同,但在电子静止的参考系,可以证明光子的频率在碰撞前后相同。 相似文献
9.
采用双光束干涉条纹模型,用光散射理论得出了激光多普勒测速中大型散射粒子的多普勒信号幅值的表达式:用数值解法求得多普勒信号幅值随散射粒子半径变化的曲线。红血球直径即使比干涉条纹宽度大10倍,也会有良好的多普勒信号。给出了实测的血流多普勒信号。 相似文献
10.
I.Y. Al-Qaradawi 《Applied Surface Science》2006,252(9):3215-3220
The influence of 70 keV He+ ion implantation and subsequent annealing of Cz-indium phosphide (InP) samples has been investigated using a slow positron beam-based Doppler broadening spectrometer. Three samples with ion fluences of 1 × 1016, 5 × 1016 and 1 × 1017 cm−2 were studied in the as-implanted condition as well as after annealing at 640 °C for times between 5 and 40 min. It was found that the line-shape parameter of the positron-electron annihilation peak in the implanted layer increases after 5 min annealing, then after longer annealing times it starts to decline gradually until it reaches a value close to the value of the as-grown sample. This implies that vacancy-like defects can be created in InP by He implantation followed by short-thermal annealing at T > 600 °C. Comparison of the results with a study where cavities were observed in He-implanted InP has been carried out. 相似文献