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《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
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基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。 相似文献
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什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次,所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。 相似文献
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随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yjeld),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。 相似文献
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