掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

毫米波三维异质异构集成技术的进展与应用

三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。     

308nm准分子激光剥离聚酰亚胺薄膜实验研究

为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果, 采用实验研究的方法, 分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底温度对激光剥离效果的影响, 并结合显微镜观察剥离后的衬底和薄膜形貌。结果表明, 激光剥离能量阈值约为160mJ/cm2, 在激光能量密度为180mJ/cm2~190mJ/cm2左右、光斑重叠率为68.33%时, 剥离效果较好; 提高衬底温度有利于激光剥离过程。该研究对聚酰亚胺薄膜在柔性电子领域的工业化应用具有一定意义。     

阻水粉在光缆中应用的“发展史”

一、前言阻水粉(高吸水性树脂)是一种新型的高分子材料,聚丙烯酸钠盐SAP(super absorb Powder)。1976年,日本三洋化成是全球最早研究和生产吸水性树脂的厂家。随着时间的推移,现在全球形成以三大雅精细化学品有限公司、日本触媒、住友精化、巴斯夫、台塑这几大公司。主要应用领域为:农业、消防、医疗、卫生用品、工业等领域;在光缆领域的应用微乎其微,主要应用在光缆的原材料方面,如:阻水带、阻水缆膏。     

激光能量对反钙钛矿GaCMn_3薄膜结构与物性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.     

RuO4对尼龙6的染色机理研究

四氧化钌作为用透射电镜观察高分子材料时对聚合物多相体系进行选择性染色的染色剂之一，克服了四氧化锇染色的局限性，能对多种聚合物进行染色。四氧化钉对大多数聚合物都能染色，但人们至今对其染色的反应机理还不十分清楚，而关于此方面的报道也较少。前人曾就四氧化钉对聚苯乙烯（PS）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）、聚碳酸酯（PC）的染色机理进行过研究，本文探讨了四氧化钌对尼龙6的染色机理。     

固体铝电解电容器用导电高分子制备工艺进展

依据近年的相关专利,综述了用于固体铝电解电容器的导电高分子的最新制备工艺,介绍了导电高分子固体铝电解电容器的结构,详细描述了制备导电高分子的两种主要方法——化学聚合和电化学聚合——及其进展历程。介绍了新颖掺杂剂的发现与使用,对各种工艺的特点进行了评述。     

紫外有机薄膜激光器

已经证实，由有机化合物组成的激光活性固体材料，在整个可见光谱区具有产生激光的能力。它们的潜力来自内在的优点，如有机化合物的调谐范围宽，有多种化合物可用，易于做工程实际装置。缺点包括实现直接电激励困难，以及缺少在紫外区发射的化合物。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。