基于ANSYS的非晶合金变压器铁心磁场的噪声研究

为了研究非晶合金变压器由于磁场分布而引起的噪声,应用ANSYS对非晶合金变压器铁心磁场进行三维有限元仿真。通过对不倒角和倒角两种模型进行对比分析,得到三维磁场分布的相关信息,并深入阐述了两种模型的差异。结果表明,倒角后模型的磁密分布得到了改善,有助于降低变压器的噪声,广泛运用于非晶合金变压器的生产中,磁场仿真结果与实际相符。仿真分析表明,有限元分析法有助于分析变压器铁心磁场噪声分布问题,从而给设计人员提供了更精确的设计依据。     

Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程的微结构研究

非晶合金（俗称金属玻璃）是一种重要的功能材料，具有一般晶态材料所不具备的许多物理、化学和力学特性。新型铈基金属玻璃的玻璃化温度（68℃）大大低于常规金属材料，是集聚合物塑料与金属特点于一身的新型功能材料，称为金属塑料。本文主要利用透射电子显微镜对Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程中的微结构变化进行了系统研究。     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

熔融LiCl及其急冷非晶键取向序的分子动力学模拟研究

本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Q_l谱.将模拟Q_l谱与线性组合模型Q_l谱比较,观察到模拟Q_l谱与含90％局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Q_l得到的结论一致。     

SiOx纳米管的制备及其发光特性

以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小．分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构．在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关．     

Preparation and Optical Properties of SnO2／SiO2 Nanocomposite

SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles.     

水雾化制备Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯性能研究

采用水雾化方法制备Fe7Al4Sn2P10C2B4Si4合金粉末,研究发现该合金具有强的非晶形成能力和高热稳定性,在粉末粒度小于400目时可以形成非晶态合金.采用该非晶粉末制备的磁粉芯在高频下品质因数显著高于MPP粉芯,说明该磁粉芯高频损耗较低.分析表明,非晶合金磁粉芯高频下损耗低的主要原因是电阻率较高.     

TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.     

非晶金刚石离子镀膜机自动化控制系统的设计

结合非晶金刚石离子镀膜机的工艺特点和要求,介绍了一种成功应用的分布式控制系统的设计,重点讨论了控制系统的硬件配置、软件设计、通信服务程序以及软件编程中的几个控制算法.     

PECVD制备a-C:H:N薄膜的微观结构研究

非晶含氢碳膜(amorphous ydmgenated arbon a-C：H films)在力学、热学、电学、化学、光学等方面具有优异的性能，被广泛应用于诸多领域，有巨大的应用前景。随着a-C：H薄膜制备技术的进一步完善，在此基础上的改性材料又引起了人们的注意。氮掺杂类金刚石薄膜(a-C：H：N)近年来成为人们研究的