Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.     

i.MX:创建无线通信持久的性能

概述 第三代移动业务正在将宽带接入到每个人的身边,无线通信接入和处理能力正在与日俱增。然而,移动系统有其特定的弱点—电源问题。不管移动系统变得多么强大,它们所能执行工作的数量都会受制于所使用电池的寿命。这就是低功率消耗与移动通信设备的速度和效率同样重要的原因。 长寿命电池格外重要,因为工作日不是短跑,它是通信领域的马拉松赛。高性     

运营商动态

中国电信DSL网络升级以提供三重播放业务；云南电信开创全国号码百事通新模式；“V声速——魅力之星”海选正式开始；思科承建中国电信CN2三大洲国际网络节点；网通河南投资70亿元建设信息村。[编者按]     

ADI公司电源时序控制器

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc．）宣布，PICkit2开发编程器现可对特定PIC单片机产品进行在线调试。据称这将有助于工程师、学生及任何有兴趣的人以非常低的初始投资，对PIC单片机产品进行开发和评估。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。