为网络更安全再次吹响WAPI的进军号

今年世界电信日的主题是“让全球网络更安全”，这说明，在全球信息化高速发展的今天，全球网络的安全问题已经引起人们的高度关注。在无线局域网的发展方面，WLAN存在的安全缺陷，给人们的生活、工作带来很多不便甚至造成很大的经济损失，已经成为其发展过程中的一大瓶劲。WAPI是我国于2003年5月提出的无线局域网国家标准，它提供了优秀的认证和安全机制，受到了我国政府和业界的大力支持。几经波折的WAPI在今年3月7日正式成立产业联盟，此举无论对WAPI还是对我国无线局域网的发展都将具有里程碑的意义。WAPI的实施不仅会保障我国无线局域网的健康发展，也将会对全球网络安全做出应有的贡献。[编者按]     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

光学材料微缺陷引起的损伤机理及后处理

采用时域有限差分方法（FDTD）进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟；同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。     

BGA芯片的制球重新利用

手机主板中有很多芯片是BGA封装的，而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷，如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修，一般只是把这个芯片取下，然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了，实际上很多这类芯片本身并没有坏，如果给芯片重新制球，就可以重新利用，从而节约成本。     

γ-辐照对纯Y_2SiO_5和Eu~(3+)∶Y_2SiO_5晶体光谱性能的影响

研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。     

在激光焊接中对烧穿、错边、间隙过大等缺陷的实时监测

利用激光焊接过程中等离子体发出的特征光声信号强度的变化，提出一种实时监测错边、烧穿、间隙过大三种缺陷的方法。     

F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。