首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1619篇
  免费   382篇
  国内免费   315篇
化学   581篇
晶体学   57篇
力学   8篇
综合类   18篇
数学   26篇
物理学   786篇
无线电   840篇
  2024年   10篇
  2023年   35篇
  2022年   55篇
  2021年   58篇
  2020年   44篇
  2019年   47篇
  2018年   37篇
  2017年   42篇
  2016年   35篇
  2015年   39篇
  2014年   67篇
  2013年   71篇
  2012年   75篇
  2011年   84篇
  2010年   77篇
  2009年   101篇
  2008年   103篇
  2007年   97篇
  2006年   114篇
  2005年   121篇
  2004年   93篇
  2003年   80篇
  2002年   89篇
  2001年   92篇
  2000年   57篇
  1999年   50篇
  1998年   70篇
  1997年   49篇
  1996年   55篇
  1995年   61篇
  1994年   45篇
  1993年   44篇
  1992年   56篇
  1991年   38篇
  1990年   45篇
  1989年   55篇
  1988年   11篇
  1987年   2篇
  1986年   5篇
  1985年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
排序方式: 共有2316条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究,为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料,经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法,为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A,制备总收率为57.20%,纯度为57.20%,其结构经1H NMR, 13C NMR和MS(ESI)表征。  相似文献   
4.
HL-1M装置等离子体与ICRH发射天线的相互作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
ICRH实验的一个比较突出的问题就是杂质。杂质的产生与ICRH发射天线同等离子体的相互作用和RF脉冲的发射有着不可忽视的联系。对HL-1M装置的ICRH发射天线在两年多实验中的变化作了简要的介绍和讨论,并对今后ICRH发射天线的设计提出了一些建议。  相似文献   
5.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。  相似文献   
6.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。  相似文献   
7.
利用电子束离子源(EBIS)或者电子束离子陷阱(EBIT)产生的慢速高电荷态重离子束轰击金属靶面,离子束与靶面作用并复合辐射特征X射线;并将高荷态离子束采用离子光学系统会聚为微细束后再与靶面作用,能够辐射出微米甚至亚微米级、纳米级的微束斑X射线.本文介绍这一新型微束斑X射线源的结构、机理及其特性等.  相似文献   
8.
Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.  相似文献   
9.
何进  张兴  黄如  王阳元 《半导体学报》2002,23(3):296-300
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.  相似文献   
10.
成玉娟  惠华等 《光子学报》2002,31(6):743-747
在分析红外图象和视图象差异的基础上,研究了一种适用于可视图像序列的运动小目标检测算法。受目标影响的象素点具有较弱的时间相关性,即相对普通象素点有较大的时间方差,根据此特征,用管道更新的方法产生新方差图象序列,再用管道更新的方法累积,增加信噪比,然后用基于统计均值的自适应门限方法分割出目标,最后将原图象的梯度倒数作为象素点强度的加权,有效地抑制灰度突变边界的传感器噪音,保存目标点。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号