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1.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
2.
薄膜的截面TEM样品制备 总被引:1,自引:0,他引:1
薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。 相似文献
3.
本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
4.
5.
6.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
7.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
8.
氦氖激光对人胚腱细胞生长分泌的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
目的 阐明氦氖激光促进人胚腱细胞增殖及分泌胶原的机制。方法 将传代培养的人胚腱细胞分为对照组、照射1日组、照射3日组及照射5日组。在氦氖激光照射的不同时相点,分别测定细胞DNA含量,cAMP水平及胶原分泌量。结果 在氦氖激光作用早期(1-3日),细胞cAMP水平与DNA合成均呈明显升高(P<0.05),细胞内信使物质合成及细胞增殖加快,但胶原分泌无变化,而在氦氖激光作用晚期(3-5日),当cAMP水平及DNA合成都不再改变时,腱细胞分泌胶原量显著增加(P<0.01)。结论 氦氖激光可能通过作用于cAMP蛋白激酶A信号转导系统,从而调控人胚腱细胞增殖及胶原分泌。提示临床应用氛氖激光促进肌腱愈合宜从早期开始,并且需要照射足够长的时间。 相似文献
9.
用辐射功率200W微波(2450MHz)处理6~16,明显促进离体黄瓜子叶生根.根长和根鲜重增加。不同辐射强度和辐服时间对离体黄瓜子叶生根有不同影响。用TTC法测定,微波处理后与根活力相关的OD值比对照体增加了。用温箱模拟FISO微波炉功率为200W的温度,不同处理时间处理离体黄瓜子叶,没有发现促进生根。说明在一定条件下,微波辐射处理离体黄瓜子叶促进生根.主要是微波的辐射效应。 相似文献
10.