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Improvement of dielectric tunability and loss tangent of (Ba,Sr)TiO3 thin films with K doping 下载免费PDF全文
Zhang Wei-Jie Dai Jian-Ming Zhu Xue-Bin Chang Qing Liu Qiang-Chun Sun Yu-Ping 《中国物理 B》2012,21(9):97702-097702
Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films doped with K were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition method. The structure, surface morphology, and dielectric and tunable properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films have been studied in detail. The K content in Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films has a strong influence on the material's properties including surface morphology, dielectric and tunable properties. It is found that the Curie temperature of K-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 films shifts to higher values compared with that of undoped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films, which leads to a dielectric enhancement of K-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 films at room temperature. At the optimized content of 0.02 mol, the dielectric loss tangent is reduced significantly from 0.057 to 0.020. Meanwhile, the tunability is enhanced obviously from 26% to 48% at the measured frequency of 1 MHz and the maximum value of the figure of merit is 23.8. This suggests that such films have potential applications for tunable devices. 相似文献
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多层介质膜光栅是高功率激光系统的关键光学元件.为了满足国内强激光系统的迫切需求, 在大口径多层介质膜光栅的研制过程中,建立了单波长自准直条件下的衍射效率测量方法及其误差分析. 结果表明误差主要由探测器的噪声和测试人员的差异产生,对衍射效率测试精度的影响是±1%. 在此基础上,将光栅衍射效率及其分布测量技术应用于光栅制作工艺中, 作为大口径光栅无损检测的一种手段,如判断光栅掩模是否能进行离子束刻蚀、 离子束刻蚀的在线监测和是否需要再刻蚀,从而实现对大口径多层介质膜光栅离子束刻蚀过程的定量、 科学控制,提高了离子束刻蚀光栅制作工艺的成功率.利用上述技术,已成功研制出多块最大尺寸为 430 mm× 350 mm、线密度1740线/mm、平均衍射效率大于95%的多层介质膜光栅. 实验结果表明,该方法操作简单、测量快速准确,不必检测光栅微结构. 为大口径多层介质膜光栅研制的无损检测工程化奠定了基础. 相似文献
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用电子分析天平测量静电力及真空介电常量 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了用电子分析天平测量平行板电容器两极板间的静电力和真空介电常量的原理和方法. 相似文献
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采用高速PIN光电探测器和高带宽的数字存储示波器,实时检测透射光脉冲和散射光脉冲的变化特征,并将之用作材料破坏的光学判据,测量得到K9玻璃在1.06μm纳秒脉冲激光作用下的能量损伤阈值约18mJ,相应的能量密度阈值为1.0kJ/cm2。通过分析透射光脉冲和散射光脉冲的特征,给出了材料的破坏时刻,并推断出K9玻璃所能承受的极限光强为1015W/m2。研究了能量透过率与泵浦能量的关系,并初步探讨了透明材料的破坏机理。结果表明:在多纵模激光的作用下,透明光学材料破坏是电离击穿与自聚焦效应综合作用的结果。 相似文献
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钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM)方面表现出广阔的应用前景 .文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3 薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展 ,并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论 相似文献
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